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COP499N/A+

更新时间: 2024-02-11 10:36:08
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 870K
描述
IC,SRAM,4X64,CMOS,DIP,8PIN,PLASTIC

COP499N/A+ 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:DIP, DIP8,.3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92Is Samacsys:N
I/O 类型:SEPARATEJESD-30 代码:R-PDIP-T8
JESD-609代码:e0内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:64端口数量:1, (3 LINE)
端子数量:8字数:4 words
字数代码:4工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:4X64输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装等效代码:DIP8,.3封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:SERIAL
子类别:SRAMs表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

COP499N/A+ 数据手册

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