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CME30E1600PZ

更新时间： 2023-12-06 20:13:17

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力特 - LITTELFUSE		/
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描述
快速标准电压SCR系列提供具有快速关断特性的晶闸管，击穿电压高达1800V。

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CME30E1600PZ 数据手册

CME30E1600PZ

Thyristor

250

200

150

100

1000

V_R= 0 V

50 Hz, 80% V_RRM

T_VJ

125°C

150°C

T_VJ= 45°C

I_T

I²t

I_TSM

[A]

T_VJ= 125°C

[A]

100

T_VJ= 45°C

[A²s]

T_VJ= 125°C

T_VJ= 25°C

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

0.01

0.1

5 6 7 8 910

V_T[V]

t [s]

t [ms]

Fig. 3 I²t versus time (1-10 s)

Fig. 2 Surge overload current

I_TSM: crest value, t: duration

Fig. 1 Forward characteristics

10²

10¹

10⁰

10^-1

I_GD: T_VJ= 125°C

T_VJ= 125°C

V_G

t_gd

I_T(AV)M

[V]

dc =

0.5

0.4

0.33

0.17

0.08

[A]

[µs]

lim.

typ.

I_GD: T_VJ= 25°C

10^-2

10^-1

10⁰

I_G[A]

10¹

120

I_G[mA]

T_case[°C]

Fig. 6 Max. forward current at

case temperature

Fig. 5 Gate controlled delay time t_gd

Fig. 4 Gate voltage & gate current

Triggering: A = no; B = possible; C = safe

100

0.8

R_thHA

0.6

0.8

1.0

2.0

dc =

0.5

0.4

0.33

0.17

0.08

0.6

Z_thJC

0.4

[K/W]

4.0

8.0

P_(AV)

R_thi[K/W] t_i[s]

[W]

0.05

0.08

0.25

0.15

0.22

0.01

0.0010

0.020

0.25

0.2

0.13

0.0

40 0

100

150

100

1000

10000

t [ms]

I_T(AV)[A]

T_amb[°C]

Fig. 7 Transient thermal impedance junction to case

Fig. 7a Power dissipation versus direct output current

Fig. 7b and ambient temperature

IXYS reserves the right to change limits, conditions and dimensions.

Data according to IEC 60747and per semiconductor unless otherwise specified

20190212d

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