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CMDSH-4E

更新时间： 2024-02-22 04:33:24

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CENTRAL		肖特基二极管
页数	文件大小	规格书
2页	130K
描述
ENHANCED SPECIFICATION SCHOTTKY DIODE

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CMDSH-4E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.76
配置：	SINGLE	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	0.33 V	最大非重复峰值正向电流：	0.75 A
元件数量：	1	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	0.2 A	最大重复峰值反向电压：	40 V
最大反向恢复时间：	0.005 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
Base Number Matches：	1

CMDSH-4E 数据手册

Central

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMDSH-4E

is an Enhanced version of the CMDSH-3 Silicon

Schottky Diode in an SOD-323 Surface Mount

Package.

CMDSH-4E

Semiconductor Corp.

ENHANCED SPECIFICATION

SCHOTTKY DIODE

ENHANCED SPECIFICATIONS:

♦ I from 100mA max to 200mA max.

♦ BV from 30V min to 40V min.

♦ V from 1.0V max to 0.8V max.

SOD-323 CASE

MARKING CODE: S1E

MAXIMUM RATINGS: (T =25°C)

SYMBOL

UNITS

Peak Repetitive Reverse Voltage

Average Forward Current

Peak Repetitive Forward Voltage

Forward Surge Current, tp=10ms

Power Dissipation

♦

RRM

200

350

750

250

♦

FRM

FSM

Operating and Storage

Junction Temperature

Thermal Resistance

T , T

stg

-65 to +150

500

°C

°C/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS: (T =25°C unless otherwise noted)

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MIN

TYP

MAX

UNITS

♦BV

I =100µA

0.29

0.37

0.61

0.65

µA

I =2.0mA

0.33

0.42

0.80

1.0

500

100

♦

I =15mA

I =100mA

♦♦V

I =200mA

V =25V

V =25V, T =100°C

7.0

V =1.0V, f=1 MHz

I =I =10mA, I =1.0mA, R =100Ω

5.0

♦ Enhanced specification.

♦♦ Additional Enhanced specification.

R0 (10-May 2004)

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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