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CLC111A8B

更新时间: 2024-01-31 20:57:19
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美国国家半导体 - NSC 放大器
页数 文件大小 规格书
10页 255K
描述
Ultra-High Slew Rate, Closed-Loop Buffer

CLC111A8B 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIP包装说明:HERMETIC SEALED, CERDIP-8
针数:8Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.33.00.01
风险等级:5.9放大器类型:BUFFER
最大平均偏置电流 (IIB):15 µA标称带宽 (3dB):800 MHz
25C 时的最大偏置电流 (IIB):15 µA最大输入失调电压:9000 µV
JESD-30 代码:R-GDIP-T8JESD-609代码:e0
负供电电压上限:-7 V标称负供电电压 (Vsup):-5 V
功能数量:1端子数量:8
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-55 °C
最小输出电流:0.05 A封装主体材料:CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码:DIP封装等效代码:DIP8,.3
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:+-5 V
认证状态:Not Qualified筛选级别:38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度:5.08 mm最小摆率:2700 V/us
标称压摆率:3500 V/us子类别:Buffer Amplifiers
最大压摆率:12 mA供电电压上限:7 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:BIPOLAR温度等级:MILITARY
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:7.62 mm
Base Number Matches:1

CLC111A8B 数据手册

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Typical Performance Characteristics (Continued)  
Recommended RS vs. Load Capacitance  
Gain vs. CL with Recommended RS  
DS012720-11  
DS012720-10  
Small Signal Pulse Response  
Large Signal Pulse Response  
DS012720-12  
DS012720-13  
Short-Term Settling Time  
Integral Linearity Error  
DS012720-14  
DS012720-15  
www.national.com  
6

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