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CHDTC124GKPTGP

更新时间： 2024-02-13 02:21:53

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Transistor,

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CHDTC124GKPTGP 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
Base Number Matches：	1

CHDTC124GKPTGP 数据手册

RATING CHARACTERISTIC ( CHDTC124GKPT )

CHARACTERISTICS

_amb= 25 °C unless otherwise speciÞed.

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

IC=50uA

MIN.

50.0

TYP.

MAX.

UNIT

−

BVCBO

BVCEO

BVEBO

Collector-Base breakdown voltage

Collector-Emitter breakdown voltage IC=1mA

50.0

5.0

−

IE=330uA

Emitter-Base breakdown voltage

IC=10mA; IB=0.5mA

VCE(sat)

ICBO

Collector-Emitter Saturation voltage

Collector-Base current

Emitter-Base current

DC current gain

0.3

0.5

260

−

V^CB=50V

IEBO

VEB=4V

140

−

hFE

IC=5mA; VCE=5.0V

Input resistor

15.4

28.6

KΩ

f T

Transition frequency

IE=-5mA, VCE=10.0V

−

250

−

MHz

f==100MHz

Note

1.Pulse test: tp≤300uS; δ ≤0.02.

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