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2N6295

更新时间: 2024-01-11 13:43:06
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1页 69K
描述
COMPLEMENTARY SILICON DARLINGTONl

2N6295 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
包装说明:,Reach Compliance Code:not_compliant
风险等级:5.85最大集电极电流 (IC):4 A
配置:Single最小直流电流增益 (hFE):750
JESD-609代码:e0最高工作温度:200 °C
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:NPN
最大功率耗散 (Abs):50 W子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED标称过渡频率 (fT):4 MHz
Base Number Matches:1

2N6295 数据手册

  
145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA  
Tel: (631) 435-1110 • Fax: (631) 435-1824  

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