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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| 风险等级： | 5.85 | 最大集电极电流 (IC)： | 4 A |
| 配置： | Single | 最小直流电流增益 (hFE)： | 750 |
| JESD-609代码： | e0 | 最高工作温度： | 200 °C |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 50 W | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 标称过渡频率 (fT)： | 4 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N6297LEADFREE | CENTRAL | 暂无描述 |
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| 2N6297PBFREE | CENTRAL | 暂无描述 |
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| 2N6298 | MICROSEMI | PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR |
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| 2N6298 | CENTRAL | Power Transistors |
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| 2N6298 | NJSEMI | COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
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| 2N6298 | SEME-LAB | Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO66 |
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