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CDMSJ2204.7-650

更新时间: 2024-04-09 19:02:17
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6页 728K
描述
4.7A,650V Through-Hole MOSFET N-Channel Super Junction

CDMSJ2204.7-650 数据手册

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CDMSJ2204.7-650  
N-CHANNEL  
SUPER JUNCTION MOSFET  
4.7 AMP, 650 VOLT  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS - Continued: (T =25°C unless otherwise noted)  
A
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
4.5  
306  
21  
MAX  
UNITS  
nC  
Q
V
V
V
V
V
=520V, I =4.5A, V =10V  
GS  
gd  
DS  
DS  
DS  
DS  
DS  
D
C
C
C
C
=400V, V =0V, f=250kHz  
pF  
iss  
GS  
=400V, V =0V, f=250kHz  
GS  
pF  
oss  
rss  
=400V, V =0V, f=250kHz  
7
pF  
GS  
=0V to 400V, V =0V,  
GS  
24  
pF  
o(er)  
f=250kHz  
t
t
t
t
V
=325V, I =4.5A, V =10V,  
17  
30  
49  
31  
ns  
ns  
ns  
ns  
d(on)  
DD GS  
D
R =25Ω  
G
V
=325V I =4.5A, V =10V,  
r
DD GS  
D
R =25Ω  
G
V
=325V I =4.5A, V =10V,  
d(off)  
f
DD GS  
D
R =25Ω  
G
V
=325V I =4.5A, V =10V,  
DD GS  
D
R =25Ω  
G
R
g
f=1.0MHz  
12  
0.87  
Ω
V
V
I =4A, V =0V  
1.5  
SD  
s
GS  
Q
I =4.5A, di/dt=100A/μs  
1.5  
μC  
ns  
rr  
s
t
I =4.5A, di/dt=100A/μs  
199  
rr  
s
Note 1: Pulse Width < 300μs, Duty Cycle < 2%  
R2 (1-November 2023)  
www.centralsemi.com  

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