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CDFG6511N

更新时间: 2024-04-09 19:03:13
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6页 811K
描述
11.5A,650V Surface mount Wide-Bandgap GaN N-Channel FET

CDFG6511N 数据手册

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CDFG6511N  
SURFACE MOUNT GaN  
N-CHANNEL  
POWER FET  
11 AMP, 650 VOLT  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS - Continued: (T =25°C unless otherwise noted)  
J
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
TYP  
UNITS  
t
t
t
t
V
=400V, V =6.0V, I =8.0A  
1.4  
ns  
d(on)  
DS  
GS  
D
R
=10Ω, L=318μH  
G(on)  
V
=400V, V =6.0V, I =8.0A  
1.7  
4.0  
4.0  
ns  
ns  
ns  
d(off)  
DS  
GS  
D
R
=10Ω, L=318μH  
G(on)  
V
=400V, V =6.0V, I =8.0A  
GS D  
r
f
DS  
R
=10Ω, L=318μH  
G(on)  
V
=400V, V =6.0V, I =8.0A  
GS D  
DS  
R
=10Ω, L=318μH  
G(on)  
DFN8X8 CASE - MECHANICAL OUTLINE  
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PIN CONFIGURATION  
LEAD CODE:  
1) Drain  
5) Source  
6) Source  
7) Kelvin Source  
8) Gate  
2) Drain  
3) Drain  
4) Drain  
Pins 5, 6, 7 are common to the pad (9)  
MARKING: C6511 L/C D/C  
R2 (1-November 2023)  
www.centralsemi.com  

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