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CD74HCT40105MG4 PDF预览

CD74HCT40105MG4

更新时间： 2024-01-23 14:32:05
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 存储内存集成电路光电二极管先进先出芯片时钟
页数 文件大小 规格书
21页 461K
描述
High-Speed CMOS Logic 4-Bit x 16-Word FIFO Register

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CD74HCT40105MG4 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOIC
包装说明：GREEN, PLASTIC, SOIC-16针数：16
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.71风险等级：5.77
Is Samacsys：N最长访问时间：2250 ns
最大时钟频率 (fCLK)：12 MHz周期时间：100 ns
JESD-30 代码：R-PDSO-G16JESD-609代码：e4
长度：9.9 mm内存密度：64 bit
内存集成电路类型：OTHER FIFO内存宽度：4
湿度敏感等级：1功能数量：1
端子数量：16字数：16 words
字数代码：16工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
组织：16X4可输出：YES
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：SOP16,.25封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：5 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.75 mm
子类别：FIFOs最大压摆率：0.00016 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：MILITARY
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：3.9 mm
Base Number Matches：1

CD74HCT40105MG4 数据手册

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CD54HC40105, CD74HC40105, CD54HCT40105, CD74HCT40105  
DC Electrical Specifications (Continued)  
TEST  
CONDITIONS  
o
o
o
o
o
25 C  
-40 C TO 85 C -55 C TO 125 C  
V
CC  
PARAMETER  
SYMBOL  
V (V)  
I
(mA)  
O
(V)  
MIN  
TYP  
MAX  
MIN  
MAX  
MIN  
MAX  
UNITS  
I
Three-State Leakage  
Current  
I
V
or V  
V
=
or  
6
-
-
±0.5  
-
±5  
-
±10  
µA  
OZ  
IL  
IH  
O
V
CC  
GND  
HCT TYPES  
High Level Input  
Voltage  
V
-
-
-
-
4.5 to  
5.5  
2
-
-
-
-
-
0.8  
-
2
-
-
0.8  
-
2
-
-
0.8  
-
V
V
V
IH  
Low Level Input  
Voltage  
V
4.5 to  
5.5  
IL  
High Level Output  
Voltage  
CMOS Loads  
V
V
V
or V  
-0.02  
4.5  
4.5  
4.5  
4.5  
4.4  
4.4  
4.4  
OH  
IH  
IH  
IL  
High Level Output  
Voltage  
TTL Loads  
-4  
0.02  
4
3.98  
-
-
-
-
3.84  
-
3.7  
-
V
V
V
Low Level Output  
Voltage  
CMOS Loads  
V
or V  
-
-
0.1  
0.26  
-
-
0.1  
0.33  
-
-
0.1  
0.4  
OL  
IL  
Low Level Output  
Voltage  
TTL Loads  
Input Leakage  
Current  
I
V
and  
0
0
5.5  
5.5  
5.5  
-
-
-
-
-
-
±0.1  
8
-
-
-
±1  
80  
±5  
-
-
-
±1  
µA  
µA  
µA  
I
CC  
GND  
Quiescent Device  
Current  
I
V
or  
160  
±10  
CC  
CC  
GND  
Three-State Leakage  
Current  
I
V
or V  
V =  
O
±0.5  
OZ  
IL  
IH  
V
or  
CC  
GND  
Additional Quiescent  
Device Current Per  
Input Pin: 1 Unit Load  
∆I  
CC  
(Note 2)  
V
-
4.5 to  
5.5  
-
100  
360  
-
450  
-
490  
µA  
CC  
-2.1  
NOTE:  
2. For dual-supply systems theoretical worst case (V = 2.4V, V  
I
= 5.5V) specification is 1.8mA.  
CC  
HCT Input Loading Table  
INPUT  
UNIT LOADS  
OE  
0.75  
0.4  
0.3  
1.5  
SI, SO  
Dn  
MR  
NOTE: Unit Load is ∆I  
360µA max at 25 C.  
limit specified in DC Electrical Table, e.g.,  
CC  
o
6
1...3456789...21

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