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Datasheet > 转换器 > 数字电位计> CAT5111RI-50SOIC
CAT5111RI-50SOIC PDF预览

CAT5111RI-50SOIC

更新时间： 2024-02-06 16:42:18
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CATALYST /
页数 文件大小 规格书
7页 70K
描述
100-Tap Digitally Programmable Potentiometer (DPP) with Buffered Wiper

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CAT5111RI-50SOIC 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Transferred
零件包装代码：MSOP包装说明：TSSOP, TSSOP8,.19
针数：8Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.39.00.01
风险等级：5.21Is Samacsys：N
其他特性：NONVOLATILE MEMORY控制接口：INCREMENT/DECREMENT
转换器类型：DIGITAL POTENTIOMETERJESD-30 代码：S-PDSO-G8
JESD-609代码：e0长度：3 mm
湿度敏感等级：1功能数量：1
位置数：100端子数量：8
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSSOP
封装等效代码：TSSOP8,.19封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH峰值回流温度（摄氏度）：240
电源：3/5 V认证状态：Not Qualified
电阻定律：LINEAR最大电阻容差：20%
最大电阻器端电压：3 V最小电阻器端电压：
座面最大高度：1.1 mm子类别：Digital Potentiometers
标称供电电压：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS标称温度系数：300 ppm/ °C
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：0.65 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
标称总电阻：50000 Ω宽度：3 mm
Base Number Matches：1

CAT5111RI-50SOIC 数据手册

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CAT5111  
OPERATING MODES  
RH  
INCC  
High to Low  
High to Low  
High  
CSC  
U/DC  
High  
Operation  
CH  
Rwi  
Low  
Low  
Wiper toward R  
Wiper toward R  
H
L
RWB  
CW  
Low  
X
Low to High  
Low to High  
High  
Store Wiper Position  
No Store, Return to Standby  
Standby  
Low  
X
CL  
Potentiometer  
Equivalent Circuit  
X
X
RL  
Operating Ambient Temperature  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Commercial (‘C’ or Blank suffix)  
Industrial (‘I’ suffix)  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
Lead Soldering (10 sec max)  
0°C to +70°C  
– 40°C to +85°C  
+150°C  
–65°C to +150°C  
+300°C  
Supply Voltage  
VCC to GND  
Inputs  
–0.5V to +7V  
CS to GND  
INC to GND  
U/D to GND  
RH to GND  
RL to GND  
RWB to GND  
–0.5V to VCC +0.5V  
–0.5V to VCC +0.5V  
–0.5V to VCC +0.5V  
–0.5V to VCC +0.5V  
–0.5V to VCC +0.5V  
–0.5V to VCC +0.5V  
* Stresses above those listed under Absolute Maximum Ratings may  
cause permanent damage to the device. Absolute Maximum Ratings  
are limited values applied individually while other parameters are  
within specified operating conditions, and functional operation at any  
of these conditions is NOT implied. Device performance and reliability  
maybeimpairedbyexposuretoabsoluteratingconditionsforextended  
periods of time.  
RELIABILITY CHARACTERISTICS  
Symbol  
Parameter  
Test  
MethodMin  
Typ  
Max  
Units  
(1)  
VZAP  
ESD Susceptibility  
Latch-Up  
MIL-STD-883, Test Method 3015  
JEDEC Standard 17  
2000  
100  
Volts  
mA  
(1)(2)  
ILTH  
TDR  
Data Retention  
Endurance  
MIL-STD-883, Test Method 1008  
100  
Years  
Stores  
NEND  
MIL-STD-883, Test Method 1003 1,000,000  
DC Electrical Characteristics: VCC = +2.5V to +6.0V unless otherwise specified  
Power Supply  
Symbol Parameter  
Conditions  
Min  
2.5  
Typ  
—
Max  
6.0  
Units  
V
VCC  
ICC1  
Operating Voltage Range  
Supply Current (Increment)  
VCC = 6V, f = 1MHz, IW=0  
VCC = 6V, f = 250kHz, IW=0  
—
—
—
—
200  
100  
µA  
ICC2  
Supply Current (Write)  
Programming, VCC = 6V  
VCC = 3V  
—
—
—
—
1
mA  
500  
µA  
(2)  
ISB1  
Supply Current (Standby)  
CS=VCC-0.3V  
—
75  
150  
µA  
U/D, INC=VCC-0.3V or GND  
Logic Inputs  
Symbol Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Units  
IIH  
Input Leakage Current  
VIN = VCC  
—
—
—
—
—
—
—
10  
–10  
µA  
µA  
V
IIL  
Input Leakage Current  
VIN = 0V  
—
VIH1  
VIL1  
VIH2  
VIL2  
TTL High Level Input Voltage  
TTL Low Level Input Voltage  
CMOS High Level Input Voltage  
CMOS Low Level Input Voltage  
4.5V ≤ VCC ≤ 5.5V  
2
0
VCC  
0.8  
V
2.5V ≤ VCC ≤ 6V  
VCC x 0.7  
-0.3  
VCC + 0.3  
VCC x 0.2  
V
V
NOTES: (1) This parameter is tested initially and after a design or process change that affects the parameter.  
(2) Latch-up protection is provided for stresses up to 100mA on address and data pins from –1V to VCC + 1V  
(3) IW=source or sink  
(4) These parameters are periodically sampled and are not 100% tested.  
Doc. No. 2008, Rev. O  
3
1234567

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