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CA3146M PDF预览

CA3146M

更新时间： 2024-02-02 02:52:29
品牌 Logo 应用领域
英特矽尔 - INTERSIL 晶体晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
12页 124K
描述
High-Voltage Transistor Arrays

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CA3146M 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G14Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.7其他特性：LOW NOISE
最大集电极电流 (IC)：0.05 A集电极-发射极最大电压：30 V
配置：COMPLEX最小直流电流增益 (hFE)：30
最高频带：VERY HIGH FREQUENCY BANDJEDEC-95代码：MS-012AB
JESD-30 代码：R-PDSO-G14JESD-609代码：e0
元件数量：5端子数量：14
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：500 MHzBase Number Matches：1

CA3146M 数据手册

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CA3146, CA3146A, CA3183, CA3183A  
Electrical Specifications CA3146 Series (Continued)  
TEST CONDITIONS TYPICAL  
CA3146  
CA3146A  
PERF.  
CURVE  
FIG. NO.  
o
PARAMETER  
SYMBOL  
T
= 25 C  
MN  
TYP  
MAX  
MIN  
TYP  
MAX UNITS  
A
o
Magnitude of V (V  
Temperature Coefficient  
- V  
)
V
I
= 5V,  
= I = 1mA  
C2  
-
-
1.1  
-
-
1.1  
-
µV/ C  
IO BE1  
BE2  
CE  
C1  
∆V  
IO  
-------------  
∆T  
Magnitude of Input Offset Current  
|I - I | (CA3146AE and  
CA3146E Only)  
I
V
I
= 5V,  
= I = 1mA  
C2  
8
-
-
0.3  
2
-
-
-
0.3  
2
µA  
IO  
CE  
C1  
IO1 IO2  
DYNAMIC CHARACTERISTICS  
Low Frequency Noise Figure  
NF  
f = 1kHz, V  
= 5V,  
10  
3.25  
3.25  
-
dB  
CE  
= 100µA, Source  
I
C
Resistance = 1kΩ  
Low-Frequency, Small-Signal  
Equivalent-Circuit Characteristics:  
Forward-Current Transfer  
Ratio  
h
f = 1kHz, V  
= 5V,  
= 5V,  
= 5V,  
= 5V,  
12  
12  
12  
12  
-
-
-
-
100  
3.5  
-
-
-
-
-
-
-
-
100  
2.7  
-
-
-
-
-
FE  
CE  
CE  
CE  
CE  
I
= 1mA  
C
Short-Circuit Input Impedance  
h
f = 1kHz, V  
= 1mA  
kΩ  
µS  
-
IE  
I
C
Open-Circuit Output Impedance  
h
h
f = 1kHz, V  
= 1mA  
15.6  
1.8 x  
15.6  
1.8 x  
OE  
I
C
Open-Circuit Reverse Voltage  
Transfer Ratio  
f = 1kHz, V  
= 1mA  
RE  
-4  
-4  
I
10  
10  
C
Admittance Characteristics:  
Forward Transfer Admittance  
Y
f = 1MHz, V  
= 5V,  
= 5V,  
= 5V,  
= 5V,  
13  
14  
15  
16  
-
-
-
31-  
j1.5  
-
-
-
-
-
-
31-j1.5  
-
-
-
mS  
mS  
mS  
mS  
FE  
CE  
CE  
CE  
CE  
I
= 1 mA  
C
Input Admittance  
Y
f = 1MHz, V  
= 1 mA  
0.3 +  
j0.04  
0.35 +  
j0.04  
IE  
I
C
Output Admittance  
Y
f = 1MHz, V  
= 1 mA  
0.001  
+ j0.03  
0.001  
+ j0.03  
OE  
I
C
Reverse Transfer  
Admittance  
Y
f = 1MHz, V  
= 1 mA  
See  
Curve  
See  
Curve  
RE  
I
C
Gain-Bandwidth Product  
f
V
V
V
V
= 5V, I = 3mA  
17  
18  
18  
18  
300  
500  
0.70  
0.37  
2.2  
-
-
-
-
300  
500  
0.70  
0.37  
2.2  
-
-
-
-
MHz  
pF  
T
CE  
EB  
CB  
C
Emitter-to-Base Capacitance  
Collector-to-Base Capacitance  
C
C
= 5V, I = 0  
-
-
-
-
-
-
EB  
E
= 5V, I = 0  
pF  
CB  
C
Collector-to-Substrate  
Capacitance  
C
= 5V, I = 0  
pF  
Cl  
Cl  
C
Electrical Specifications CA3183 Series  
TEST CONDITIONS  
TYPICAL  
CA3183  
CA3183A  
TYP  
PERF.  
CURVE  
FIG. NO.  
o
PARAMETER  
SYMBOL  
T
= 25 C  
MIN  
TYP  
MAX  
MIN  
MAX  
UNITS  
A
DC CHARACTERISTICS FOR EACH TRANSISTOR  
Collector-to-Base  
Breakdown Voltage  
V
I
= 100µA, I = 0  
-
-
40  
30  
40  
5
-
-
-
-
-
-
-
50  
40  
50  
5
-
-
-
-
-
-
-
V
V
(BR)CBO  
C
E
Collector-to-Emitter  
Breakdown Voltage  
V
I
= 1mA, I = 0  
B
(BR)CEO  
C
Collector-to-Substrate  
Breakdown Voltage  
V
I
I
= 100µA, I = 0,  
-
-
-
V
(BR)ClO  
CI  
E
B
= 0  
Emitter-to-Base  
Breakdown Voltage  
V
I
= 500µA, I = 0  
-
-
-
V
(BR)EBO  
E
C
Collector-Cutoff Current  
I
V
= 10V, I = 0  
19  
-
10  
-
10  
µA  
CEO  
CE  
B
3
1234567...12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
CA3146M96 INTERSIL

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