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C1210

更新时间： 2024-01-19 19:16:09
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页数 文件大小 规格书
4页 37K
描述
Process C1210 CMOS 1.2mm Zero Threshold Devices

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C1210 技术参数

生命周期：Active包装说明：, 1210
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8532.24.00.20风险等级：5.75
电容器类型：CERAMIC CAPACITOR介电材料：CERAMIC
安装特点：SURFACE MOUNT多层：Yes
端子数量：2最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C封装形状：RECTANGULAR PACKAGE
参考标准：MIL-PRF-123尺寸代码：1210
表面贴装：YES端子形状：WRAPAROUND
Base Number Matches：1

C1210 数据手册

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®
ISO 9001 Registered  
Process C1210  
CMOS 1.2µm  
Zero Threshold Devices  
Electrical Characteristics  
T=25oC Unless otherwise noted  
N-Channel Transistor  
Threshold Voltage  
Body Factor  
Symbol  
VTN  
γN  
Minimum  
Typical  
0.75  
0.34  
75  
1.0  
0.6  
Maximum  
Unit  
V
Comments  
100x1.2µm  
100x1.2µm  
100x100µm  
100x1.2µm  
Per side  
0.55  
0.95  
V1/2  
µA/V2  
µm  
µm  
V
Conduction Factor  
βN  
LeffN  
∆WN  
BVDSSN  
VTFP(N)  
64  
0.8  
86  
1.2  
Effective Channel Length  
Width Encroachment  
Punch Through Voltage  
Poly Field Threshold Voltage  
9
10  
V
Zero Vt N-Channel Transis. Symbol  
Minimum  
Typical  
0.15  
0.348  
90  
Maximum  
Unit  
V
V1/2  
µA/V2  
mA  
Comments  
100x100µm  
100x100µm  
100x100µm  
100x1.5µm  
Threshold Voltage  
Body Factor  
VTZLN  
γZLN  
0.00  
0.30  
Conduction Factor  
Saturation Current  
βZLN  
IDSATZN  
75  
28  
105  
40  
34  
P-Channel Transistor  
Threshold Voltage  
Body Factor  
Symbol  
VTP  
γP  
Minimum  
Typical  
–0.9  
0.38  
25  
1.1  
0.8  
Maximum  
Unit  
V
Comments  
100x1.2µm  
100x1.2µm  
100x100µm  
100x1.2µm  
Per side  
–0.7  
–1.1  
V1/2  
µA/V2  
µm  
µm  
V
Conduction Factor  
βP  
LeffP  
∆WP  
BVDSSP  
VTFP(P)  
21  
0.9  
29  
1.3  
Effective Channel Length  
Width Encroachment  
Punch Through Voltage  
Poly Field Threshold Voltage  
–9.0  
–10.0  
V
Zero Vt P-Channel Transis. Symbol  
Minimum  
Typical  
–0.1  
0.36  
26  
Maximum  
Unit  
V
V1/2  
µA/V2  
mA  
Comments  
100x100µm  
100x100µm  
100x100µm  
100x1.5µm  
Threshold Voltage  
Body Factor  
VTZLP  
γZLP  
–0.3  
0.1  
Conduction Factor  
Saturation Current  
βZLP  
IDSATZP  
21  
–11  
31  
–19  
–15  
47  
© IMP, Inc.  
1234

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