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BZX85C200-T

更新时间： 2024-02-17 20:43:36

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RECTRON		测试二极管
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6页	119K
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Zener Diode,

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BZX85C200-T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	O-LALF-W2	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.72	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	ZENER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-41
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	200 °C	最低工作温度：	-65 °C
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	1.3 W
标称参考电压：	200 V	表面贴装：	NO
技术：	ZENER	端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	最大电压容差：	5%
工作测试电流：	1.5 mA	Base Number Matches：	1

BZX85C200-T 数据手册

RATING AND CHARACTERISTICS CURVES(BZX85C2V7 THRU BZX85C200 )

1000

100

0.75

0.5

1.0V BIAS

0V BIAS

50% V_ZBIAS

0.25

100

20 40 60 80 100 120 140 160 180 200

V_Z, Zener Voltage (V)

T_A, Ambient Temperature (°C)

Fig.2 Typical Junction Capacitance

Fig.1 Steady-State Power Derating Curve

100000

1000

100

T_J= 125°C

T_J= 150°C

10000

1000

100

T_J= 25°C

T_J= 75°C

T_J= 125°C

T_J= 25°C

0.1

0.01

0.001

0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9

1.1 1.2 1.3

100

V_F, Forward Voltage (V)

V_Z, Nominal Zener Voltage (V)

Fig.3 Typical Leakage Characteristics

Fig.4 Typical Forward Characteristics

1000

I_Z=1mA

100

I_Z=5mA

47V

27V

6.2V

I_Z=20mA

0.1

100

V_Z, Zener Voltage (V)

I_Z, Zener Current (mA)

Fig.6 Typical Effect Of Zener Voltage On Zener

Fig.6 Typical Effect Of Zener Voltage On

Impedance

Fig.5 Typical Effect Of Zener Current On

Impedance

Zener Impedance

1 234 5 6

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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