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BZX84B14

更新时间： 2024-01-29 17:59:02

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强茂 - PANJIT		稳压二极管测试光电二极管
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描述
SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES

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BZX84B14 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.36	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	ZENER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	0.2 W
标称参考电压：	14 V	表面贴装：	YES
技术：	ZENER	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
最大电压容差：	2%	Base Number Matches：	1

BZX84B14 数据手册

1. DATA SHEET

BZX84B SERIES

SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES

Unit: inch (mm)

SOT- 23

410 mWatts

POWER

VOLTAGE

4.3 - 39 Volts

FEATURES

• Planar Die construction

.119(3.00)

.110(2.80)

• 410mW Power Dissipation

• Ideally Suited for Automated Assembly Processes

• Pb free product are available : 99% Sn above can meet Rohs

environment substance directive request

.083(2.10)

.066(1.70)

.006(.15)

.002(.05)

MECHANICALDATA

• Case: SOT-23, Molded Plastic

• Terminals: Solderable per MIL-STD-202G, Method 208

• Polarity: See Diagram Below

.006(.15)MAX

.020(.50)

.013(.35)

• Approx. Weight: 0.008 grams

• Mounting Position: Any

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Param eter

Sym bol

Value

Units

M axim um Forward Voltage D rop atIF=10m A

0.9

410

PowerD issipation (Notes A)at25^OC

m W

Am ps

^OC

Peak Forward Surge C urrent,8.3m s single half

sine-wave superim posed on rated load (JED EC m ethod) (Notes B)

IFSM

2.0

O perating Junction and StorageTem perature Range

-55 to +150

SINGLE

( Note C )

NOTES:

A. Mounted on 5.0mm²(.013mm thick) land areas.

B. Measured on 8.3ms, single half sine-wave or equivalent square wave, duty cycle = 4 pulses per minute maximum.

C. For Structure Purpose only.

PAGE . 1

STAD-DEC.02.2004

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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