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BZX55C6V2

更新时间: 2024-02-27 08:35:37
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NJSEMI 局域网测试二极管
页数 文件大小 规格书
2页 102K
描述
SILICON PLANAR ZENER DIODES

BZX55C6V2 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.19
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:10 ΩJEDEC-95代码:DO-204AH
JESD-30 代码:O-LALF-W2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:200 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.5 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:6.2 V最大反向电流:0.1 µA
子类别:Voltage Reference Diodes表面贴装:NO
技术:ZENER端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
最大电压容差:5%工作测试电流:5 mA
Base Number Matches:1

BZX55C6V2 数据手册

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