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BZX55C6V2

更新时间： 2024-01-21 13:16:20

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虹扬 - HY		稳压二极管测试
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4页	196K
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ZENER DIODE

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BZX55C6V2 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	O-LALF-W2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.19
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
最大动态阻抗：	10 Ω	JEDEC-95代码：	DO-204AH
JESD-30 代码：	O-LALF-W2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	200 °C	最低工作温度：	-65 °C
封装主体材料：	GLASS	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	0.5 W	认证状态：	Not Qualified
标称参考电压：	6.2 V	最大反向电流：	0.1 µA
子类别：	Voltage Reference Diodes	表面贴装：	NO
技术：	ZENER	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
最大电压容差：	5%	工作测试电流：	5 mA
Base Number Matches：	1

BZX55C6V2 数据手册

BZX55C SERIES

REVERSE VOLTAGE - 2.4 to 188 Volts

DO - 35

ZENER DIODE

FEATURES

● High reliability

.020

TYP.

(0.51)

1.083(27.5)

MIN

APPLICATIONS

● Voltage stabilization

.150(3.8)

MAX

CONSTRUCTION

● Silicon epitaxial planar

.079

MAX

(2.0)

1.083(27.5)

MIN

Dimensions in inches and (millimeters)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

TJ=25℃

Parameter

Test Conditions

Type

Symbol

Value

500

Unit

℃

Power dissipation

Z-current

I=4mm TL≤25℃

Pv/Vz

Junction temperature

Storage temperature range

175℃

Tstg

-55 ~ +200

℃

MAXIMUM THERMAL RESISTANCE

TJ=25℃

Parameter

Test Conditions

Symbol

RthJA

Value

350

Unit

K/W

Junction ambient

I=4mm TL=constant

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

TJ=25℃

Parameter

Test Conditions

IF=200mA

Type

Symbol

Min

Typ

Max

1.5

Unit

Forward voltage

~ 399 ~

12 3 4

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BZX55-C6V2/A52R	NXP	6.2V, 0.4W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS	获取价格