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BZX55-C5V6T/R

更新时间: 2024-02-14 14:37:17
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 测试二极管
页数 文件大小 规格书
7页 41K
描述
DIODE 5.6 V, 0.4 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2, Voltage Regulator Diode

BZX55-C5V6T/R 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DO-35
包装说明:O-LALF-W2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.47
Is Samacsys:N其他特性:TEMPERATURE COEFFICIENT IS TYPICAL
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:25 ΩJEDEC-95代码:DO-35
JESD-30 代码:O-LALF-W2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:200 °C
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.4 W认证状态:Not Qualified
参考标准:CECC50005-005标称参考电压:5.6 V
最大反向电流:0.1 µA子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:NO技术:ZENER
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
电压温度Coeff-Max:1.6 mV/ °C最大电压容差:5%
工作测试电流:5 mABase Number Matches:1

BZX55-C5V6T/R 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BZX55 series  
Voltage regulator diodes  
1996 Apr 26  
Product specification  
Supersedes data of April 1992  

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