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BZW04-23B

更新时间： 2024-02-29 02:50:02
品牌 Logo 应用领域
MDE 二极管
页数 文件大小 规格书
4页 71K
描述
GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR

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BZW04-23B 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：O-PALF-W2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.19Is Samacsys：N
最大击穿电压：28.4 V最小击穿电压：25.7 V
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码：DO-41JESD-30 代码：O-PALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散：400 W元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-65 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性：BIDIRECTIONAL
最大功率耗散：1 W最大重复峰值反向电压：23.1 V
表面贴装：NO技术：AVALANCHE
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

BZW04-23B 数据手册

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MDE Semiconductor, Inc.  
78-150 Calle Tampico, Unit 210, La Quinta, CA., USA 92253 Tel: 760-564-8656 • Fax: 760-564-2414  
1-800-831-4881 Email: sales@mdesemicondutor.com Web: www.mdesemiconductor.com  
BZW04 SERIES  
GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR  
VOLTAGE-6.8 TO 376 Volts  
400 Watt Peak Pulse Power  
FEATURES  
• Plastic package has Underwriters Laboratory  
Flammability Classification 94 V-O  
• Glass passivated chip junction in DO-41 package  
• 400W surge capability at 1ms  
• Excellent clamping capability  
• Low zener impedance  
• Low incremental surge resistance  
• Excellent clamping capability  
• Fast response time: typically less than  
1.0 ps from 0 volts to BV min  
• Typical IR less than 1µA above 10V  
• High temperature soldering guaranteed:  
300°C/10 seconds/ .375", (9.5mm) lead  
length, 5lbs., (2.3kg) tension  
MECHANICAL DATA  
Case: JEDEC DO-41 Molded plastic  
Terminals: Axial leads, solderable per  
MIL-STD-750, Method 2026  
Polarity: Color band denoted positive end (cathode)  
except Bipolar  
Dimensions in inches (millimeters)  
Mounting Position: Any  
Weight: 0.012 ounces, 0.3 grams  
DEVICES FOR BIPOLAR APPLICATIONS  
For Bidirectional use C or CA Suffix for types BZW-04-5V8 thru types BZW04-376 (e.g. BZW04-5V8B, BZW04-376B)  
Electrical characteristics apply in both directions.  
MAXIMUM RATINGS AND CHARACTERISTICS  
Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.  
For Capacitive load, derate current by 20%  
RATING  
SYMBOL  
PPPM  
VALUE  
Minimum 400  
SEE TABLE 1  
1.0  
UNITS  
Watts  
Amps  
Watts  
Peak Pulse Power Dissipation at TA = 25 °C, TP = 1ms  
(NOTE 1)  
Peak Pulse Current of on 10/1000 µs waveform (Note 1)  
Steady State Power Dissipation at TL = 75°C  
lengths .375", 9.5mm (Note 2)  
Ippm  
Lead  
PM  
(AV)  
Peak Forward Surge Current, 8.3ms Single Half Sine-wave  
Superimposed on Rated Load, (JEDEC Method)(Note 3)  
Operatings and Storage Temperature Range  
NOTES:  
IFSM  
40  
Amps  
°C  
TJ, TSTG  
-55 +175  
1. Non-repetitive current pulse, per Fig.3 and derated above Ta=25 °C per Fig.2.  
2. Mounted on Copper Pad area of 1.6x1.6" (40x40mm) per Fig.5.  
3. 8.3ms single half sine-wave, or equivalent square wave, Duty cycle=4 pulses per minutes maximum.  
1234

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与BZW04-23B相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BZW04-23B(27V) ETC

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 		Transient Voltage Suppressor (TVS)
BZW04-23B/100 VISHAY

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 23.1V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
BZW04-23B/4E VISHAY

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 23.1V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
BZW04-23B/4F VISHAY

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 23.1V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
BZW04-23B/4G VISHAY

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 23.1V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
BZW04-23B/4H VISHAY

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 23.1V V(RWM), Bidirectional,
BZW04-23B/53 VISHAY

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BZW04-23B/54 VISHAY

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 23.1V V(RWM), Bidirectional,
BZW04-23B/56 VISHAY

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 23.1V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-

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