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BZT52B16S

更新时间: 2024-02-23 16:04:20
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海德 - HDSEMI 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 1922K
描述
SOD323 Plastic-Encapsulate Diodes

BZT52B16S 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-F2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.48配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JESD-30 代码:R-PDSO-F2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-65 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.2 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:16 V表面贴装:YES
技术:ZENER端子面层:TIN LEAD
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
最大电压容差:1.94%工作测试电流:5 mA
Base Number Matches:1

BZT52B16S 数据手册

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BZT52B2V4S-BZT52B39S  
SOD323 Plastic-Encapsulate Diodes  
Zener Diodes  
Features  
SOD3 23  
Pd  
200mW  
2.4V- 39V  
Vz  
Applications  
Stabilizing Voltage  
Item  
Power dissipation  
Zener current  
Unit  
mW  
mA  
Conditions  
Max  
200  
P
Symbol  
Pd  
TA=25℃  
IZ  
/VZ  
Tj  
Maximum junction temperature  
Storage temperature range  
150  
Tstg  
-65 to +150  
Electrical CharacteristicsT =25Unless otherwise specified)  
a
Item  
Symbol Unit  
Conditions  
Max  
Thermal resistance  
RθJA  
VF  
/W  
Between junction and ambient  
625  
Forward voltage  
V
IF =10mA  
0.9  
1
H
igh Diode Semiconductor  

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