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BZT52B16

更新时间: 2024-01-31 06:14:13
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威世 - VISHAY 二极管齐纳二极管
页数 文件大小 规格书
8页 121K
描述
Small Signal Zener Diodes

BZT52B16 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.64
二极管类型:ZENER DIODEJESD-609代码:e3
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED端子面层:Matte Tin (Sn)
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

BZT52B16 数据手册

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BZT52-Series  
Vishay Semiconductors  
www.vishay.com  
TYPICAL CHARACTERISTICS (Tamb = 25 °C, unless otherwise specified)  
mA  
103  
Ω
100  
TJ = 25 °C  
102  
10  
5
4
IF  
3
2
33  
rzj  
TJ = 100 °C  
27  
22  
1
10-1  
10-2  
10  
18  
15  
TJ = 25 °C  
5
4
12  
10-3  
10-4  
10-5  
3
10  
2
6.8/8.2  
6.2  
1
0
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1V  
0.1  
18119  
2
5
1
2
5
10  
IZ  
2
5 100 mA  
VF  
18114  
Fig. 1 - Forward characteristics  
Fig. 4 - Dynamic Resistance vs. Zener Current  
mW  
500  
Ω
103  
Tj = 25 °C  
7
5
4
400  
300  
200  
100  
0
Rzj  
3
2
47 + 51  
43  
Ptot  
39  
36  
102  
7
5
4
3
2
10  
0.1  
2
3
4
5
1
2
3
4
5
10  
mA  
0
100  
Tamb  
200 °C  
18120  
IZ  
18888  
Fig. 2 - Admissible Power Dissipation vs. Ambient Temperature  
Fig. 5 - Dynamic Resistance vs. Zener Current  
Ω
Ω
1000  
103  
ΔVZ  
TJ = 25 °C  
5
Rzth = RthA x VZ  
x
5
4
3
4
3
2
Δ
Tj  
2
Rzth  
rzj  
102  
100  
5
4
3
5
4
3
2
2
10  
5
4
3
10  
5
4
3
2.7  
3.6  
4.7  
5.1  
negative  
positive  
2
2
5.6  
1
1
0.1  
18117  
2
5
1
2
5
10  
2
5 100 mA  
1
2
3
4
5
10  
2
3
4
5
100 V  
IZ  
18121  
VZ at IZ = 5 mA  
Fig. 3 - Dynamic Resistance vs. Zener Current  
Fig. 6 - Thermal Differential Resistance vs. Zener Voltage  
Rev. 1.8, 26-Feb-13  
Document Number: 85760  
4
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
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ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  

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