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BZM55C6.2BSC

更新时间: 2024-01-16 02:43:16
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RECTRON 稳压二极管局域网
页数 文件大小 规格书
5页 151K
描述
SILICON PLANAR ZENER DIODE

BZM55C6.2BSC 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active零件包装代码:MELF
包装说明:O-LELF-R2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.61
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JESD-30 代码:O-LELF-R2JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):265极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.5 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:6.2 V表面贴装:YES
技术:ZENER端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:WRAP AROUND端子位置:END
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED最大电压容差:1.91%
工作测试电流:5 mA

BZM55C6.2BSC 数据手册

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BZM55C-BS  
SERIES  
4.7V to 36V  
SILICON PLANAR ZENER DIODE  
FEATURES  
Zener Voltage Range 4.7 to 36 Volts  
LS-31 (Micro-melf) Glass Package  
*
*
MICRO-MELF  
(1.25)  
(1.20)  
.049  
.047  
DIA.  
.010 (0.26)  
.008 (0.21)  
R > 2.5  
Glass  
)
)
.083 (2.10  
.075 (1.90  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25 oC ambient temperature unless otherwise specified.  
Dimensions in inches and (millimeters)  
MAXIMUM RATINGES ( @ TA = 25oC unless otherwise noted )  
RATINGS  
SYMBOL  
VALUE  
500  
UNITS  
mW  
Power Dissipation @ R  
Storage Temperature  
Junction Temperature  
< 300 OC/W  
P
D
th (j-a)  
-65 to +175  
OC  
T
stg  
OC  
T
J
175  
THERMAL RESISTANCE  
500  
300  
Rth(j-a)  
Rth(j-l)  
K / W  
K / W  
From Junction to Ambient in free air  
Form Junction to Tie point (Note 1)  
2
Notes: 1. 35 um copper clad, 0.9mm copper area per electrode.  
VD 2007-11  
2. "Fully RoHS Compliant", "100% Sn Plating (Pb-free)".  

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