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BZD27C8V2P-GS18

更新时间： 2024-01-28 16:52:00
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 二极管齐纳二极管
页数 文件大小 规格书
9页 150K
描述
Zener Diodes with Surge Current Specification

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BZD27C8V2P-GS18 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Obsolete
零件包装代码：DO-219AB包装说明：R-PDSO-F2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.31配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：ZENER DIODE
JEDEC-95代码：DO-219ABJESD-30 代码：R-PDSO-F2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性：UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：0.8 W认证状态：Not Qualified
标称参考电压：8.2 V子类别：Voltage Reference Diodes
表面贴装：YES技术：ZENER
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：FLAT
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
最大电压容差：6.1%工作测试电流：100 mA

BZD27C8V2P-GS18 数据手册

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BZD27C3V6P to BZD27C200P  
Vishay Semiconductors  
Electrical Characteristics  
When used as protection diodes (TJ = 25 °C unless otherwise noted)  
Partnumber  
Rev.  
Breakdown  
Voltage  
Test  
Current  
Temperature Coefficient  
Clamping Voltage  
Reverse Current at  
Stand-Off Voltage  
1)  
V(BR)R at  
Itest  
Itest  
mA  
αZ @ Itest  
VC  
IR  
at VWM  
V
at IRSM  
V
%/°C  
V
A
µA  
max  
1500  
1200  
100  
20  
5
min  
7
min  
0
max  
0.07  
0.08  
0.08  
0.09  
0.1  
max  
11.3  
12.3  
13.3  
14.8  
15.7  
17  
BZD27C7V5P  
BZD27C8V2P  
BZD27C9V1P  
BZD27C10P  
BZD27C11P  
BZD27C12P  
BZD27C13P  
BZD27C15P  
BZD27C16P  
BZD27C18P  
BZD27C20P  
BZD27C22P  
BZD27C24P  
BZD27C27P  
BZD27C30P  
BZD27C33P  
BZD27C36P  
BZD27C39P  
BZD27C43P  
BZD27C47P  
BZD27C51P  
BZD27C56P  
BZD27C62P  
BZD27C68P  
BZD27C75P  
BZD27C82P  
BZD27C91P  
BZD27C100P  
BZD27C110P  
BZD27C120P  
BZD27C130P  
BZD27C150P  
BZD27C160P  
BZD27C180P  
BZD27C200P  
100  
100  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
25  
25  
25  
25  
25  
25  
25  
25  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
5
13.3  
12.2  
11.3  
10.1  
9.6  
6.2  
6.8  
7.5  
8.2  
9.1  
10  
7.7  
8.5  
9.4  
10.4  
11.4  
12.4  
13.8  
15.3  
16.8  
18.8  
20.8  
22.8  
25.1  
28  
0.03  
0.03  
0.05  
0.05  
0.05  
0.05  
0.05  
0.06  
0.06  
0.06  
0.06  
0.06  
0.06  
0.06  
0.06  
0.06  
0.06  
0.07  
0.07  
0.07  
0.07  
0.08  
0.08  
0.08  
0.08  
0.09  
0.09  
0.09  
0.09  
0.09  
0.09  
0.09  
0.09  
0.09  
0.1  
8.8  
5
0.1  
18.9  
20.9  
22.9  
25.6  
28.4  
31  
7.9  
5
11  
0.1  
7.2  
5
12  
0.11  
0.11  
0.11  
0.11  
0.11  
0.11  
0.11  
0.11  
0.11  
0.11  
0.12  
0.12  
0.12  
0.12  
0.13  
0.13  
0.13  
0.13  
0.13  
0.13  
0.13  
0.13  
0.13  
0.13  
0.13  
0.13  
0.13  
6.6  
5
13  
5.9  
5
15  
5.3  
5
16  
4.8  
5
18  
33.8  
38.1  
42.2  
46.2  
50.1  
54.1  
60.7  
65.5  
70.8  
78.6  
86.5  
94.4  
103.5  
114  
126  
139  
139  
152  
169  
187  
205  
229  
254  
4.4  
5
20  
3.9  
5
22  
3.6  
5
24  
31  
3.2  
5
27  
34  
3
5
30  
37  
2.8  
5
33  
40  
2.5  
5
36  
44  
2.3  
5
39  
48  
2.1  
5
43  
52  
1.9  
5
47  
58  
1.7  
5
51  
64  
1.6  
5
56  
70  
1.5  
5
62  
77  
1.3  
5
68  
85  
1.2  
5
75  
94  
5
1.1  
5
82  
104  
114  
124  
138  
153  
168  
188  
5
0.72  
0.65  
0.59  
0.53  
0.48  
0.43  
0.39  
5
91  
5
5
100  
110  
120  
130  
150  
160  
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
1) Non-repetitive peak reverse current in accordance with "IEC 60-1, Section 8" (10/1000 µs pulse); see Fig. 5.  
Document Number 85810  
Rev. 1.8, 13-Apr-05  
www.vishay.com  
3
1234567...9

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与BZD27C8V2P-GS18相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BZD27C8V2P-HE3-08 VISHAY

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 		Zener Diode, 8.2V V(Z), 6.1%, 0.8W, Silicon, Unidirectional, DO-219AB, SMF, 2 PIN
BZD27C8V2P-HE3-18 VISHAY

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 		Zener Diode, 8.2V V(Z), 6.1%, 0.8W, Silicon, Unidirectional, DO-219AB, SMF, 2 PIN
BZD27C8V2P-M VISHAY

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 		Zener Diodes with Surge Current Specification
BZD27C8V2P-M08 VISHAY

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 		DIODE 8.2 V, 0.8 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-219AB, HALOGEN FRE
BZD27C8V2P-M18 VISHAY

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 		DIODE 8.2 V, 0.8 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-219AB, HALOGEN FRE
BZD27C8V2P-M3-18 VISHAY

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 		Zener Diode, 8.2V V(Z), 5%, 2.3W,
BZD27C8V2P-TP MCC

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 		Zener Diode, 8.2V V(Z), 5%, 0.8W, Silicon, Unidirectional, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE
BZD27C8V2T/R PHILIPS

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 		Zener Diode, 8.2V V(Z), 5%, 2.3W,
BZD27-C8V2T/R NXP

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 		DIODE 300 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor
BZD27C8V2TRL YAGEO

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 		Zener Diode, 8.2V V(Z), 2.3W, Silicon, Unidirectional

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