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BZD27C82P-G2

更新时间： 2024-01-03 00:39:05
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 171K
描述
DIODE 82 V, 0.8 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-219AB, PLASTIC, SMF, 2 PIN, Voltage Regulator Diode

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BZD27C82P-G2 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DO-219AB
包装说明：R-PDSO-F2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.50风险等级：5.63
Is Samacsys：N配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：ZENER DIODE
JEDEC-95代码：DO-219ABJESD-30 代码：R-PDSO-F2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性：UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：0.8 W认证状态：Not Qualified
标称参考电压：82 V表面贴装：YES
技术：ZENER端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40最大电压容差：6.1%
工作测试电流：10 mABase Number Matches：1

BZD27C82P-G2 数据手册

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BZD27C3V6P to BZD27C200P  
VISHAY  
Vishay Semiconductors  
Electrical Characteristics  
When used as protection diodes (T = 25 °C unless otherwise noted)  
J
Partnumber  
Rev.  
Breakdown  
Voltage  
Test  
Current  
Temperature Coefficient  
Clamping Voltage  
Reverse Current at  
Stand-Off Voltage  
1)  
V
at  
I
α
@ I  
V
I
at V  
WM  
(BR)R  
test  
Z
test  
C
at I  
R
RSM  
I
test  
V
mA  
%/°C  
V
A
µA  
max  
1500  
1200  
100  
20  
5
V
min  
7
min  
0
max  
0.07  
0.08  
0.08  
0.09  
0.1  
max  
11.3  
12.3  
13.3  
14.8  
15.7  
17  
BZD27C7V5P  
BZD27C8V2P  
BZD27C9V1P  
BZD27C10P  
BZD27C11P  
BZD27C12P  
BZD27C13P  
BZD27C15P  
BZD27C16P  
BZD27C18P  
BZD27C20P  
BZD27C22P  
BZD27C24P  
BZD27C27P  
BZD27C30P  
BZD27C33P  
BZD27C36P  
BZD27C39P  
BZD27C43P  
BZD27C47P  
BZD27C51P  
BZD27C56P  
BZD27C62P  
BZD27C68P  
BZD27C75P  
BZD27C82P  
BZD27C91P  
BZD27C100P  
BZD27C110P  
BZD27C120P  
BZD27C130P  
BZD27C150P  
BZD27C160P  
BZD27C180P  
BZD27C200P  
100  
100  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
25  
25  
25  
25  
25  
25  
25  
25  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
10  
5
13.3  
12.2  
11.3  
10.1  
9.6  
6.2  
6.8  
7.5  
8.2  
9.1  
10  
7.7  
8.5  
9.4  
10.4  
11.4  
12.4  
13.8  
15.3  
16.8  
18.8  
20.8  
22.8  
25.1  
28  
0.03  
0.03  
0.05  
0.05  
0.05  
0.05  
0.05  
0.06  
0.06  
0.06  
0.06  
0.06  
0.06  
0.06  
0.06  
0.06  
0.06  
0.07  
0.07  
0.07  
0.07  
0.08  
0.08  
0.08  
0.08  
0.09  
0.09  
0.09  
0.09  
0.09  
0.09  
0.09  
0.09  
0.09  
0.1  
8.8  
5
0.1  
18.9  
20.9  
22.9  
25.6  
28.4  
31  
7.9  
5
11  
0.1  
7.2  
5
12  
0.11  
0.11  
0.11  
0.11  
0.11  
0.11  
0.11  
0.11  
0.11  
0.11  
0.12  
0.12  
0.12  
0.12  
0.13  
0.13  
0.13  
0.13  
0.13  
0.13  
0.13  
0.13  
0.13  
0.13  
0.13  
0.13  
0.13  
6.6  
5
13  
5.9  
5
15  
5.3  
5
16  
4.8  
5
18  
33.8  
38.1  
42.2  
46.2  
50.1  
54.1  
60.7  
65.5  
70.8  
78.6  
86.5  
94.4  
103.5  
114  
4.4  
5
20  
3.9  
5
22  
3.6  
5
24  
31  
3.2  
5
27  
34  
3
5
30  
37  
2.8  
5
33  
40  
2.5  
5
36  
44  
2.3  
5
39  
48  
2.1  
5
43  
52  
1.9  
5
47  
58  
1.7  
5
51  
64  
1.6  
5
56  
70  
1.5  
5
62  
77  
1.3  
5
68  
85  
126  
1.2  
5
75  
94  
5
139  
1.1  
5
82  
104  
114  
124  
138  
153  
168  
188  
5
139  
0.72  
0.65  
0.59  
0.53  
0.48  
0.43  
0.39  
5
91  
5
152  
5
100  
110  
120  
130  
150  
160  
5
169  
5
5
187  
5
5
205  
5
5
229  
5
5
254  
5
1)  
Non-repetitive peak reverse current in accordance with "IEC 60-1, Section 8" (10/1000 µs pulse); see Fig. 5.  
Document Number 85810  
Rev. 4, 16-Sep-03  
www.vishay.com  
3
123456

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与BZD27C82P-G2相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
BZD27C82PGS08 VISHAY DIODE 82 V, 0.8 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-219AB, ROHS COMPLIA

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BZD27C82P-GS08 VISHAY Zener Diodes with Surge Current Specification

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BZD27C82PGS18 VISHAY DIODE 82 V, 0.8 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-219AB, ROHS COMPLIA

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BZD27C82P-GS18 VISHAY Zener Diodes with Surge Current Specification

获取价格
BZD27C82P-HE3-08 VISHAY Zener Diode, 82V V(Z), 6.1%, 0.8W, Silicon, Unidirectional, DO-219AB, SMF, 2 PIN

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BZD27C82P-HE3-18 VISHAY Zener Diode, 82V V(Z), 6.1%, 0.8W, Silicon, Unidirectional, DO-219AB, SMF, 2 PIN

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