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BZD27C75P

更新时间： 2024-01-22 02:54:29

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台芯 - TAYCHIPST		稳压二极管测试
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VOLTAGE REGULATOR DIODES

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BZD27C75P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.83
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	ZENER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-F2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	1 W
参考标准：	AEC-Q101	标称参考电压：	75 V
表面贴装：	YES	技术：	ZENER
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
最大电压容差：	5%	工作测试电流：	10 mA

BZD27C75P 数据手册

BZD27C3V6P~BZD27C75P

3.6V-75V 800mW

VOLTAGE REGULATOR DIODES

RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES

BZY97 BZD27C3V6P THRU BZD27C75P

Figure 2. Maximum Pulse Power Dissipation vs. Zener Voltage

Figure 1. Forward Current vs. Forward Voltage

10.00

160

140

120

100

Typ. V

Max. V

1.00

0.10

0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6

25 50 75 100 125 150 175 200

– Zener Voltage ( V )

– Forward Voltage ( V )

Znom

Figure 3. Typ. Diode Capacitance vs. Reverse Voltage

Figure 4. Non-Repetitive Peak Reverse Current Pulse Definition

10000

RSM

C5V1P

C6V8P

C12P

C18P

(%)

100

10 µs

1000

100

1000 µ s

C27P

1.0

C51P

C200P

0.5

0.0

1.5

2.0

2.5

3.0

– Reverse Voltage (V)

Figure 5. Power Dissipation vs. Ambient Temperature

3.0

tie point temperature

2.5

2.0

1.5

ambient temperature

1.0

0.5

0.0

100 125 150

amb

– Ambient Temperature ( èC )

Web Site: www.taychipst.com

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E-mail: sales@taychipst.com

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与BZD27C75P相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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