5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > BZD27C6V8P-E3-08
BZD27C6V8P-E3-08 PDF预览

BZD27C6V8P-E3-08

更新时间： 2024-02-05 03:56:10
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 128K
描述
Zener Diode, 6.8V V(Z), 5.88%, 0.8W, Silicon, Unidirectional, DO-219AB, SMF, 2 PIN

阅读下载

获取价格

BZD27C6V8P-E3-08 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：DO-219AB包装说明：R-PDSO-F2
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
Factory Lead Time：10 weeks风险等级：1.42
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：ZENER DIODEJEDEC-95代码：DO-219AB
JESD-30 代码：R-PDSO-F2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性：UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：0.8 W参考标准：AEC-Q101
标称参考电压：6.8 V表面贴装：YES
技术：ZENER端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED最大电压容差：5.88%
工作测试电流：100 mABase Number Matches：1

BZD27C6V8P-E3-08 数据手册

 浏览型号BZD27C6V8P-E3-08的Datasheet PDF文件第1页浏览型号BZD27C6V8P-E3-08的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BZD27C6V8P-E3-08的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BZD27C6V8P-E3-08的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BZD27C6V8P-E3-08的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BZD27C6V8P-E3-08的Datasheet PDF文件第7页 
BZD27C Series  
Vishay Semiconductors  
www.vishay.com  
TYPICAL CHARACTERISTICS (Tamb = 25 °C, unless otherwise specified)  
10  
IRSM  
(%)  
t1 = 10 µs  
Max. VF  
t2 = 1000 µs  
100  
Typ. VF  
90  
1
50  
10  
t
0.1  
t1  
0.6  
0.8  
1.0  
1.2  
1.4  
1.6  
t2  
17415  
17411  
VF - Forward Voltage (V)  
Fig. 1 - Forward Current vs. Forward Voltage  
Fig. 4 - Non-Repetitive Peak Reverse Current Pulse Definition  
14  
10 000  
Chart valid for TJ = 175 °C; TA = 25 °C, and a duty  
cycle of D = 0.5  
Duty cycle D  
12  
C5V1P  
C18P  
C6V8P  
C12P  
tp  
T
tp  
D =  
T
10  
8
T
J max. - TA  
1000  
100  
PZSM  
=
D x (Rth - Zth (tp)) + Zth (tp)  
6
P (RthJL  
)
Typ. PZSM = f (tp)  
4
C27P  
C51P  
2
P (RthJA  
)
C200P  
0.5  
0
10  
0
1.0  
1.5  
2.0  
2.5  
3.0  
0.001 0.01  
0.1  
1
10  
100  
1000  
17412  
VR - Reverse Voltage (V)  
22987  
tp Pulse Width (s)  
Fig. 2 - Typ. Diode Capacitance vs. Reverse Voltage  
Fig. 5 - Typical Repetitive Peak Surge Power  
1000  
3.0  
Typ. Zth = f (tp)  
RthJL = 30K/W  
2.5  
100  
10  
2.0  
1.5  
RthJA 3 mm x 3 mm pad  
RthJL  
1.0  
0.5  
0
R
thJA = 180K/W  
1
0
25 50 75 100 125 150 175  
0.001 0.01  
0.1  
1
10  
100  
1000  
22774  
Tamb - Ambient Temperature (°C)  
22988  
tp Pulse Width (s)  
Fig. 3 - Power Dissipation vs. Ambient Temperature  
Fig. 6 - Typical Thermal Impedance vs. Time  
Rev. 1.5, 10-Oct-17  
Document Number: 85153  
4
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
12345678

下载PDF

与BZD27C6V8P-E3-08相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
BZD27C6V8P-E3-18 VISHAY DIODE ZENER 800MW SMF DO219

获取价格
BZD27C6V8P-G1 VISHAY DIODE 6.8 V, 0.8 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-219AB, PLASTIC, SM

获取价格
BZD27C6V8P-G2 VISHAY DIODE 6.8 V, 0.8 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-219AB, PLASTIC, SM

获取价格
BZD27C6V8PGS08 VISHAY DIODE 6.8 V, 0.8 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-219AB, ROHS COMPLI

获取价格
BZD27C6V8P-GS08 VISHAY Zener Diodes with Surge Current Specification

获取价格
BZD27C6V8PGS18 VISHAY DIODE 6.8 V, 0.8 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-219AB, ROHS COMPLI

获取价格

与BZD27C6V8P-E3-08相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证