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BZD27C56P-M-08

更新时间: 2024-01-13 15:25:38
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
7页 105K
描述
DIODE 56 V, 0.8 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-219AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SMF, 2 PIN, Voltage Regulator Diode

BZD27C56P-M-08 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DO-219AB
包装说明:R-PDSO-F2针数:2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.22
Is Samacsys:N配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JEDEC-95代码:DO-219ABJESD-30 代码:R-PDSO-F2
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:0.8 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:56 V子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:YES技术:ZENER
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:FLAT
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
最大电压容差:7.14%工作测试电流:10 mA
Base Number Matches:1

BZD27C56P-M-08 数据手册

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BZD27C3V6P-M to BZD27C200P-M  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb = 25 °C, unless otherwise specified)  
ZENER VOLTAGE  
TEST  
CURRENT  
REVERSE  
CURRENT  
DYNAMIC  
RESISTANCE  
TEMPERATURE  
COEFFICIENT  
RANGE (1)  
MARKING  
CODE  
VZ at IZT1  
V
IZT1  
mA  
IR at VR  
ZZ at IZT1  
VZ at IZT1  
%/°C  
PART NUMBER  
μA  
MAX.  
100  
50  
25  
10  
5
V
MIN.  
NOM. MAX.  
TYP.  
MAX.  
MIN.  
MAX.  
- 0.04  
- 0.04  
- 0.02  
0
BZD27C3V6P-M  
BZD27C3V9P-M  
BZD27C4V3P-M  
BZD27C4V7P-M  
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BZD27C10P-M  
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BZD27C39P-M  
BZD27C43P-M  
BZD27C47P-M  
BZD27C51P-M  
BZD27C56P-M  
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BZD27C68P-M  
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100  
100  
100  
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100  
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50  
50  
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25  
25  
25  
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25  
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0.03  
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0.05  
0.05  
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0.06  
0.06  
0.06  
0.06  
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0.07  
0.07  
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0.08  
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15  
15  
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80  
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250  
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25  
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1
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1
5
1
5
1
5
1
5
1
Notes  
(1)  
Electrical characteristics when used as regulator diodes  
Maximum VF = 1.2 V, at IF = 0.2 A  
Pulse test: tp 5 ms  
Rev. 1.2, 29-Nov-11  
Document Number: 83307  
2
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