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BZD27C36P-M

更新时间： 2024-01-05 23:23:16

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威世 - VISHAY		二极管齐纳二极管
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7页	112K
描述
Zener Diodes with Surge Current Specification

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BZD27C36P-M 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDSO-F2	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.07	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	ZENER DIODE	最大动态阻抗：	40 Ω
JESD-30 代码：	R-PDSO-F2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	1 W	参考标准：	AEC-Q101
标称参考电压：	36 V	子类别：	Voltage Reference Diodes
表面贴装：	YES	技术：	ZENER
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
最大电压容差：	5.56%	工作测试电流：	10 mA
Base Number Matches：	1

BZD27C36P-M 数据手册

BZD27C3V6P-M to BZD27C200P-M

www.vishay.com

Vishay Semiconductors

BASIC CHARACTERISTICS (T_amb= 25 °C, unless otherwise specified)

160

140

120

100

Max. V_F

Typ. V_F

0.1

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

100

150

200

17411

17414

V_F- Forward Voltage (V)

V_Znom- Zener Voltage (V)

Fig. 1 - Forward Current vs. Forward Voltage

Fig. 4 - Maximum Pulse Power Dissipation vs. Zener Voltage

10 000

I_RSM

(%)

C5V1P

C18P

C6V8P

C12P

t₁= 10 µs

t₂= 1000 µs

100

1000

100

C27P

C51P

C200P

0.5

t₁

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

t₂

17415

17412

V_R- Reverse Voltage (V)

Fig. 2 - Typ. Diode Capacitance vs. Reverse Voltage

Fig. 5 - Non-Repetitive Peak Reverse Current Pulse Definition

3.0

Tie point temperature

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

Ambient temperature

100 125 150

17413

T_amb- Ambient Temperature (°C)

Fig. 3 - Power Dissipation vs. Ambient Temperature

Rev. 1.2, 29-Nov-11

Document Number: 83307

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与BZD27C36P-M相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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