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BZD27C200P-GS18

更新时间: 2024-01-22 14:09:03
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 稳压二极管齐纳二极管测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 150K
描述
Zener Diodes with Surge Current Specification

BZD27C200P-GS18 技术参数

是否无铅: 不含铅生命周期:Obsolete
零件包装代码:DO-219AB包装说明:R-PDSO-F2
针数:2Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.53Is Samacsys:N
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:ZENER DIODEJEDEC-95代码:DO-219AB
JESD-30 代码:R-PDSO-F2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.8 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:200 V
子类别:Voltage Reference Diodes表面贴装:YES
技术:ZENER端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:FLAT端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40最大电压容差:6%
工作测试电流:5 mABase Number Matches:1

BZD27C200P-GS18 数据手册

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BZD27C3V6P to BZD27C200P  
Vishay Semiconductors  
Package Dimensions in mm (Inches)  
0.85 (0.033)  
0.35 (0.014)  
3.9 (0.152)  
3.5 (0.137)  
5
0.16 (0.006)  
0.99 (0.039)  
0.97 (0.038)  
Z
5
Cathode Band  
Top View  
Detail  
Z
enlarged  
1.9 (0.074)  
1.7 (0.066)  
1.2 (0.047)  
0.8 (0.031)  
0.10 max  
2.9 (0.113)  
2.7 (0.105)  
ISO Method E  
Mounting Pad Layout  
1.6 (0.062)  
1.3 (0.051)  
1.4 (0.055)  
17247  
Document Number 85810  
Rev. 1.8, 13-Apr-05  
www.vishay.com  
5

与BZD27C200P-GS18相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
BZD27C200P-HE3-08 VISHAY Zener Diode, 200V V(Z), 6%, 0.8W, Silicon, Unidirectional, DO-219AB, SMF, 2 PIN

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BZD27C200P-M VISHAY Zener Diodes with Surge Current Specification

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BZD27C200P-M08 VISHAY DIODE 200 V, 0.8 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-219AB, HALOGEN FRE

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BZD27C200P-M18 VISHAY DIODE 200 V, 0.8 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-219AB, HALOGEN FRE

获取价格

BZD27C200P-M-18 VISHAY DIODE 200 V, 0.8 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-219AB, HALOGEN FRE

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BZD27C200T/R PHILIPS Zener Diode, 200V V(Z), 5%, 2.3W,

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