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BZD27C110P-M-18

更新时间： 2024-01-31 18:39:22

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威世 - VISHAY		测试光电二极管
页数	文件大小	规格书
7页	110K
描述
DIODE 110 V, 0.8 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-219AB, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SMF, 2 PIN, Voltage Regulator Diode

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BZD27C110P-M-18 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DO-219AB
包装说明：	R-PDSO-F2	针数：	2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.3
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	ZENER DIODE	JEDEC-95代码：	DO-219AB
JESD-30 代码：	R-PDSO-F2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	0.8 W
认证状态：	Not Qualified	标称参考电压：	110 V
子类别：	Voltage Reference Diodes	表面贴装：	YES
技术：	ZENER	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	最大电压容差：	5.45%
工作测试电流：	5 mA	Base Number Matches：	1

BZD27C110P-M-18 数据手册

BZD27-M Series

Vishay Semiconductors

www.vishay.com

TYPICAL CHARACTERISTICS (T_amb= 25 °C, unless otherwise specified)

I_RSM

(%)

t₁= 10 µs

Max. V_F

t₂= 1000 µs

100

Typ. V_F

0.1

t₁

0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

t₂

17415

17411

V_F- Forward Voltage (V)

Fig. 1 - Forward Current vs. Forward Voltage

Fig. 4 - Non-Repetitive Peak Reverse Current Pulse Definition

10 000

C5V1P

C18P

C6V8P

C12P

1000

100

C27P

C51P

C200P

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

17412

V_R- Reverse Voltage (V)

Fig. 2 - Typ. Diode Capacitance vs. Reverse Voltage

3.0

R_thJL= 30K/W

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

_thJA= 180K/W

25 50 75 100 125 150 175

22774

T_amb- Ambient Temperature (°C)

Fig. 3 - Power Dissipation vs. Ambient Temperature

Rev. 1.6.,18-Mar-15

Document Number: 85155

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