Datasheet > BZD27C11P

BZD27C11P

更新时间： 2024-02-03 07:18:21

品牌	Logo	应用领域
TSC		稳压二极管测试光电二极管
页数	文件大小	规格书
3页	158K
描述
Voltage Regulator Diodes

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BZD27C11P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	R-PDSO-F2	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.63	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	ZENER DIODE
JESD-30 代码：	R-PDSO-F2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性：	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：	1 W	标称参考电压：	11 V
表面贴装：	YES	技术：	ZENER
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
最大电压容差：	4.98%	工作测试电流：	50 mA
Base Number Matches：	1

BZD27C11P 数据手册

Preliminary

BZD27C6V8P THRU BZD27C200P

Voltage Regulator Diodes

Voltage Range

6.8 to 200 Volts

0.8 Watts Power Dissipation

Sub SMA

Features

Silicon planar zener diodes

Low profile surface-mount package

Zener and surge current specification

Low leakage current

Excellent stability

High temperature soldering:

260^OC / 10 sec. at terminals

Mechanical Data

Case: Sub SMA Plastic

Packaging method: refer to package code

Marking code: as table

Weight: 10 mg (approx.)

Dimensions in inches and (millimeters)

Maximum Ratings and Electrical Characteristics

Rating at 25℃ambient temperature unless otherwise specified.

Maximum Ratings

Type Number

Symbol

V_F

Ptot

Value

1.2

2.3

0.8

300

Units

Forward Voltage

@ IF = 0.2A

Power Dissipation

TL=80^OC

TA=25^OC (Note 1)

Non-Repetitive Peak Pulse Power Dissipation

100us square pulse (Note 2)

Non-Repetitive Peak Pulse Power Dissipation

10/1000 us waveform (BZD27-C7V5P to

BZD27-C100P) (Note 2)

P_ZSM

P_RSM

150

Non-Repetitive Peak Pulse Power Dissipation

10/1000 us waveform (BZD27-110P to BZD27-C200P)

(Note 2)

100

P_RSM

Thermal Resistance Junction to Ambient Air (Note 1)

180

K /W

^OC

R_θJA

R_θJL

T_J, T_STG

Thermal Resistance Junction to Lead

Operating and Storage Temperature Range

-65 to + 150

Notes: 1. Mounted on Epoxy-Glass PCB with 3 x 3 mm Cu pads (≧40um thick)

2. T_J=25^OC Prior to Surge.

08.30.2005/rev. d

12 3

下载PDF

与BZD27C11P相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BZD27-C11P	VISHAY	Zener Diodes	获取价格
BZD27C11P-E3-08	VISHAY	Zener Diode, 11V V(Z), 5.45%, 0.8W, Silicon, Unidirectional, DO-219AB, SMF, 2 PIN	获取价格
BZD27C11P-E3-18	VISHAY	DIODE ZENER 800MW SMF DO219	获取价格
BZD27C11P-G1	VISHAY	DIODE 11 V, 0.8 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-219AB, PLASTIC, SMF	获取价格
BZD27C11P-G2	VISHAY	DIODE 11 V, 0.8 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-219AB, PLASTIC, SMF	获取价格
BZD27C11PGS08	VISHAY	DIODE 11 V, 0.8 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-219AB, ROHS COMPLIA	获取价格