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BYV29X-600P

更新时间： 2024-01-30 13:36:52

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Ultrafast power diode

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BYV29X-600P 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	R-PSFM-T2
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
其他特性：	LOW LEAKAGE CURRENT	应用：	ULTRA FAST SOFT RECOVERY POWER
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.3 V	JEDEC-95代码：	TO-220AC
JESD-30 代码：	R-PSFM-T2	最大非重复峰值正向电流：	132 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	参考标准：	IEC-60134
最大重复峰值反向电压：	600 V	最大反向电流：	10 µA
最大反向恢复时间：	0.075 µs	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
Base Number Matches：	1

BYV29X-600P 数据手册

WeEn Semiconductors

BYV29X-600P

Ultrafast power diode

11. Characteristics

Table 7. Characteristics

Symbol Parameter

Static characteristics

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

V_F

forward current

I_F= 8 A; T_j= 25 °C; Fig. 6

I_F= 8 A; T_j= 150 °C; Fig. 6

V_R= 600 V; T_j= 25 °C

1.05

1.3

1.1

0.9

I_R

reverse current

μA

V_R= 600 V; T_j= 150 °C

0.4

Dynamic characteristics

Q_r

reverse charge

I_F= 1 A; V_R= 30 V; dI_F/dt = 100 A/μs;

T_j= 25 °C; Fig. 7

t_rr

reverse recovery time

I_F= 1 A; V_R= 30 V; dI_F/dt = 100 A/μs;

T_j= 25 °C; Fig. 7

I_RM

peak reverse recovery I_F= 1 A; V_R= 30 V; dI_F/dt = 50 A/μs;

current

1.9

2.8

T_j= 25 °C; Fig. 7

I_F= 1 A; V_R= 30 V; dI_F/dt = 100 A/μs;

T_j= 25 °C; Fig. 7

atc12-006

(A)

(2)

(1)

(3)

time

25 %

100 %

003aac562

(V)

V_o= 0.973 V; R_s= 0.0168 Ω

(1) T_j= 150 °C; typical values

(2) T_j= 150 °C; maximum values

(3) T_j= 25 °C; maximum values

Fig. 7. Reverse recovery deﬁnitions; ramp recovery

Fig. 6. Forward current as a function of forward voltage

BYV29X-600P

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Product data sheet

11 July 2017

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