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BYV26E

更新时间： 2024-02-13 05:11:23
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2页 73K
描述
SINTERED GLASS JUNCTION FAST AVALANCHE RECTIFIER VOLTAGE：1000V CURRENT: 1.0A

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BYV26E 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.82
配置：SINGLE二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：2.2 VJESD-609代码：e0
最大非重复峰值正向电流：30 A元件数量：1
最高工作温度：175 °C最大输出电流：1 A
最大重复峰值反向电压：1400 V最大反向恢复时间：0.15 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn80Pb20)Base Number Matches：1

BYV26E 数据手册

 浏览型号BYV26E的Datasheet PDF文件第2页 
BYV26E  
SINTERED GLASS JUNCTION  
FAST AVALANCHE RECTIFIER  
VOLTAGE：1000V  
CURRENT: 1.0A  
SOD-57  
FEATURE  
Glass passivated  
High maximum operating temperature  
Low leakage current  
Excellent stability  
Guaranteed avalanche energy absorption capability  
MECHANICAL DATA  
Case: SOD-57 sintered glass case  
Terminal: Plated axial leads solderable per  
MIL-STD 202E, method 208C  
Polarity: color band denotes cathode end  
Mounting position: any  
Dimensions in inches and (millimeters)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
(single-phase, half-wave, 60HZ, resistive or inductive load rating at 25°C, unless otherwise stated)  
SYMBOL  
BYV26E  
units  
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage  
Maximum RMS Voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
1000  
700  
V
V
V
Maximum DC blocking Voltage  
1000  
Reverse avalanche breakdown voltage  
V(BR)R  
IFAV  
1100min  
1.0  
V
A
at IR = 0.1 mA  
Maximum Average Forward Rectified  
Current 3/8”lead length at Ttp =85°C  
Non-repetitive Peak Forward Current at t=10ms half  
sine wave  
30  
2.5  
10  
IFSM  
VF  
A
V
Maximum Forward Voltage at rated Forward Current  
Non-repetitive peak reverse avalanche energy  
(Note 1)  
ERSM  
mJ  
5.0  
150.0  
75  
µ
µ
nS  
pF  
A
A
Maximum DC Reverse Current  
at rated DC blocking voltage  
Ta =25°C  
Ta =165°C  
(Note 2)  
IR  
Maximum Reverse Recovery Time  
Trr  
Cd  
Diode Capacitance  
(Note 3)  
(Note 4)  
40  
100  
Typical Thermal Resistance  
Rth(ja)  
Tstg, Tj  
°C /W  
°C  
Storage and Operating Junction Temperature  
Note:  
-65 to +175  
1. IR=400mA; Tj=Tjmax prior to surge; inductive load switched off  
2. Reverse Recovery Condition If =0.5A, Ir =1.0A, Irr =0.25A  
3. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 0Vdc  
4. Device mounted on an epoxy-glass printed-circuit board, 1.5mm thick  
Rev.A1  
www.gulfsemi.com  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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