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BYV26E PDF预览

BYV26E

更新时间： 2024-02-06 18:30:24
品牌 Logo 应用领域
银河微电 - BL Galaxy Electrical 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 54K
描述
SUPER FAST RECTIFIERS

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BYV26E 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.82
配置：SINGLE二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：2.2 VJESD-609代码：e0
最大非重复峰值正向电流：30 A元件数量：1
最高工作温度：175 °C最大输出电流：1 A
最大重复峰值反向电压：1400 V最大反向恢复时间：0.15 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn80Pb20)Base Number Matches：1

BYV26E 数据手册

 浏览型号BYV26E的Datasheet PDF文件第2页 
GALAXY ELECTRICAL  
BYV26A(Z) ---BYV26E(Z)  
BL  
VOLTAGE RANGE: 200 --- 1000 V  
CURRENT: 1.0 A  
SUPER FAST RECTIFIERS  
FEATURES  
Low cost  
DO - 41  
Diffused junction  
Low leakage  
Low forward voltage drop  
High current capability  
Easilycleaned with alcohol,Isopropanol  
and similar solvents  
MECHANICAL DATA  
Case: JEDEC DO-41,molded plastic  
Terminals: Axial lead ,solderable per  
MIL- STD-202,Method 208  
Polarity: Color band denotes cathode  
Weight: 0.012 ounces,0.34 grams  
Mounting position: Any  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25 ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase,half wave,50 Hz,resistive or inductive load. For capacitive load,derate by20%.  
BYV26A BYV26B BYV26C BYV26D BYV26E UNITS  
Maximumrecurrent peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
200  
140  
200  
400  
280  
400  
600  
420  
600  
800  
560  
800  
1000  
700  
V
V
V
VRRM  
VRMS  
VDC  
MaximumDC blocking voltage  
1000  
Maximumaverage forw ard rectified current  
1.0  
A
IF(AV)  
9.5 mmlead length,  
@TA=75  
Peak forward surge current  
10ms single half-sine-wave  
30.0  
2.5  
A
V
IFSM  
superimposed on rated load @T =125  
J
Maximuminstantaneous forw ard voltage  
@ 1.0A  
VF  
IR  
Maximumreverse current  
@TA=25  
5.0  
A
at rated DCblocking voltage @TA=100  
Maximumreverse recovery time (Note1)  
150.0  
30  
75  
ns  
trr  
CJ  
Typical junction capacitance  
Typical thermal resistance  
(Note2)  
(Note3)  
45  
40  
pF  
100  
/W  
RθJA  
TJ  
Operating junction temperature range  
- 55 ----- + 150  
- 55 ----- + 150  
Storage temperature range  
TSTG  
NOTE: 1. Measured with IF=0.5A, IR=1A, Irr=0.25A.  
2. Measured at 1MHz and applied rev erse v oltage of 4.0V DC.  
3. Thermal resistance f rom junction to ambient.  
www.galaxycn.com  
Document Number 0264013  
BLGALAXY ELECTRICAL  
1.  
12

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与BYV26E相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BYV26E/4 VISHAY

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 		Rectifier Diode, Avalanche, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AP, ROHS COMPLIANT
BYV26EAGP GULFSEMI

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 		SINTERED GLASS JUNCTION FAST SWITCHING PLASTIC RECTIFIER VOLTAGE: 1000V CURRENT: 1.5A
BYV26EAMO PHILIPS

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM),
BYV26E-E3/54 VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AP, ROHS COMPLIANT PACKAGE-2
BYV26EGP TAYCHIPST

获取价格

 		SINTERED GLASS JUNCTION FAST SWITCHING PLASTIC RECTIFIER
BYV26EGP VISHAY

获取价格

 		Glass Passivated Ultrafast Rectifier
BYV26EGP GULFSEMI

获取价格

 		SINTERED GLASS JUNCTION FAST SWITCHING PLASTI
BYV26EGP SUNMATE

获取价格

 		1A plug-in fast recovery diode V DO-15 series
BYV26EGP RECTRON

获取价格

 		Reverse Voltage Vr : 1000 V;Forward Current Io : 1000 mA;Max Surge Current : 30 A;Forward
BYV26EGP/100 VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AC, PLASTIC, DO-15, 2 PIN

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