BYP103

更新时间： 2024-01-30 21:30:52

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描述
FRED Diode (Fast recovery epitaxial diode Soft recovery characteristics)

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BYP103 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	R-PSFM-T2	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.59	Is Samacsys：	N
应用：	GENERAL PURPOSE	外壳连接：	CATHODE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.7 V
JEDEC-95代码：	TO-218AD	JESD-30 代码：	R-PSFM-T2
JESD-609代码：	e0	最大非重复峰值正向电流：	200 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	45 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	1000 V
最大反向恢复时间：	0.13 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
Base Number Matches：	1

BYP103 数据手册

BYP 103

FRED Diode

• Fast recovery epitaxial diode

• Soft recovery characteristics

Type

Package

Ordering Code

C67047-A2066-A2

RRM

FRMS

BYP 103

1000V

75A

140ns

TO-218 AD

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

Unit

Mean forward current

FAV

T = 90 °C, D = 0.5

RMS forward current

FRMS

FSM

Surge forward current, sine halfwave, aperiodic

T = 100 °C, f = 50 Hz

180

400

Repetitive peak forward current

FRM

T = 100 °C, t ≤ 10 µs

∫

i t value

i dt

A s

T = 100 °C, t = 10 ms

162

Repetitive peak reverse voltage

Surge peak reverse voltage

Power dissipation

1000

RRM

RSM

tot

T = 90 °C

115

Chip or operating temperature

Storage temperature

-40 ... + 150 °C

-40 ... + 150

stg

≤

Thermal resistance, chip case

0.5

K/W

thJC

Thermal resistance, chip-ambient

DIN humidity category, DIN 40 040

IEC climatic category, DIN IEC 68-1

thJA

40 / 150 / 56

Semiconductor Group

12.96

12 3

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