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BYD57D135

更新时间: 2024-10-01 14:48:11
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
6页 180K
描述
DIODE 0.4 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode

BYD57D135 技术参数

生命周期:Active包装说明:O-LELF-R2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.76
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码:O-LELF-R2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-65 °C最大输出电流:0.4 A
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:200 V最大反向恢复时间:0.03 µs
表面贴装:YES技术:AVALANCHE
端子形式:WRAP AROUND端子位置:END
Base Number Matches:1

BYD57D135 数据手册

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