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BY398

更新时间： 2024-01-25 12:50:12
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固锝 - GOOD-ARK 整流二极管快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
2页 52K
描述
FAST RECOVERY SILICON RECTIFIER

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BY398 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：O-PALF-W2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.66Is Samacsys：N
其他特性：FORMED LEAD OPTIONS ARE AVAILABLE应用：FAST RECOVERY
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.3 VJESD-30 代码：O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流：100 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最大输出电流：3 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：400 V
最大反向电流：10 µA最大反向恢复时间：0.25 µs
表面贴装：NO端子形式：WIRE
端子位置：AXIALBase Number Matches：1

BY398 数据手册

 浏览型号BY398的Datasheet PDF文件第2页 
BY396 THRU BY399  
FAST RECOVERY SILICON RECTIFIER  
Reverse Voltage -  
Forward Current -  
100 to 800 Volts  
3.0 Amperes  
Features  
Fast recovery diodes  
Diffused junction  
High surge capability  
The plastic material carries U/L recognition 94V-0  
Terminals: Axial leads  
Polarity: Color band denotes cathode  
Mounting Instruction  
DIMENSIONS  
Min. distance from body to soldering point, 4mm  
Max. solder temperature, 350  
inches  
mm  
DIM  
Note  
Max.  
Min.  
Max.  
0.374  
0.208  
0.051  
-
Min.  
7.20  
4.80  
1.20  
25.40  
Max. soldering time: 3.5 Sec.  
A
B
C
D
0.283  
0.189  
0.048  
1.000  
9.50  
5.30  
1.30  
-
Do not bend lead at a point closer than 3mm to the body  
Weight: 0.042 ounce, 1.195 gram  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics  
Ratings at 25 ambient temperature unless otherwise specified.  
Symbols  
BY396  
BY397  
BY398  
400  
BY399  
Units  
Peak repetitive and non repetitive reverse voltage  
V
100  
200  
800  
Volts  
Amps  
Amps  
Amps  
Volts  
RRM  
Forward current, R load at T =50  
I
3.0  
100.0  
15.0  
1.3  
amb  
(AV)  
8.3mS peak forward surge current at T=25  
I
j
FSM  
Recurrent peak forward current (A)  
I
FRM  
Maximum forward voltage drop at I =3.0A  
V
F
F
Maximum reverse current at V  
at 25  
I
10.0  
250  
A
nS  
/W  
RRM  
R
Maximum reverse recovery time (Note 1)  
Maximum thermal resistance (I=10mm)  
Operating and storage temperature range  
T
rr  
R
30.0  
JA  
T , T  
-65 to +125  
J
STG  
Note:  
(1) Reverse recovery test conditions: IF=0.5A, IR=1.0A, Irr=0.25A  
1
12

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与BY398相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BY398-B FRONTIER

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, Silicon,
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BY398G DAESAN

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2
BY398P/100-E3 VISHAY

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 		DIODE 3 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode

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