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BY254P-E3/54

更新时间： 2024-02-18 17:11:28
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 二极管
页数 文件大小 规格书
4页 76K
描述
DIODE 3 A, 800 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-201AD, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2, Rectifier Diode

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BY254P-E3/54 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：DO-201AD
包装说明：O-PALF-W2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.13
Is Samacsys：N其他特性：FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.1 V
JEDEC-95代码：DO-201ADJESD-30 代码：O-PALF-W2
JESD-609代码：e3最大非重复峰值正向电流：150 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：3 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：800 V
最大反向恢复时间：3 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLEBase Number Matches：1

BY254P-E3/54 数据手册

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BY251P, BY252P, BY253P, BY254P, BY255P  
www.vishay.com  
Vishay General Semiconductor  
General Purpose Plastic Rectifier  
FEATURES  
• Low forward voltage drop  
• Low leakage current, IR less than 0.1 μA  
• High forward surge capability  
• Solder dip 275 °C max. 10 s, per JESD 22-B106  
• Material categorization: For definitions of  
compliance please see www.vishay.com/doc?99912  
DO-201AD  
TYPICAL APPLICATIONS  
For use in general purpose rectification of power supplies,  
inverters, converters, and freewheeling diodes application.  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
3.0 A  
Note  
VRRM  
IFSM  
IR  
200 V, 400 V, 600 V, 800 V,1300 V  
• These devices are not AEC-Q101 qualified.  
150 A  
5.0 μA  
1.1 V  
MECHANICAL DATA  
Case: DO-201AD, molded epoxy body  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating  
Base P/N-E3 - RoHS-compliant, commercial grade  
VF  
TJ max.  
Package  
150 °C  
DO-201AD  
Single die  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD 22-B102  
Diode variations  
E3 suffix meets JESD 201 class 1A whisker test  
Polarity: Color band denotes cathode end  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL BY251P  
BY252P  
400  
BY253P  
600  
BY254P  
800  
BY255P  
1300  
UNIT  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
200  
140  
200  
V
V
V
280  
420  
560  
910  
Maximum DC blocking voltage  
400  
600  
800  
1300  
Maximum average forward rectified current  
IF(AV)  
IFSM  
3.0  
A
A
10 mm lead length  
Peak forward surge current 10 ms single half  
sine-wave superimposed on rated load  
150  
Maximum full load reverse current, full cycle average  
10 mm lead length  
IR(AV)  
100  
μA  
°C  
Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
- 55 to + 150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25 °C unless otherwise noted)  
PARAMETER  
TEST CONDITIONS SYMBOL BY251P  
BY252P  
BY253P  
BY254P  
BY255P  
UNIT  
Maximum instantaneous  
forward voltage  
3.0 A  
VF  
IR  
1.1  
V
Maximum reverse current  
at rated DC blocking voltage  
TA = 25 °C  
5.0  
μA  
Maximum reverse  
IF = 0.5 A, IR = 1.0 V,  
rr = 0.25 A  
trr  
3.0  
40  
μs  
recovery time  
I
Typical junction capacitance 4.0 V, 1 MHz  
CJ  
pF  
Revision: 01-Aug-13  
Document Number: 88838  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
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