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BY203-20S-TR

更新时间： 2024-02-05 14:59:04
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 信号二极管局域网
页数 文件大小 规格书
4页 128K
描述
Fast Avalanche Sinterglass Diode

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BY203-20S-TR 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：E-LALF-W2
针数：2Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.42Is Samacsys：N
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：E-LALF-W2JESD-609代码：e2
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：0.25 A
封装主体材料：GLASS封装形状：ELLIPTICAL
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：2000 V
最大反向恢复时间：0.3 µs表面贴装：NO
技术：AVALANCHE端子面层：Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

BY203-20S-TR 数据手册

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BY203-12S, BY203-16S, BY203-20S  
www.vishay.com  
Vishay Semiconductors  
Fast Avalanche Sinterglass Diode  
FEATURES  
• Glass passivated junction  
• Hermetically sealed package  
• Material categorization:  
For definitions of compliance please see  
www.vishay.com/doc?99912  
APPLICATIONS  
• Fast rectification and switching avalanche sinterglass  
diode for TV-line output circuits an switch mode power  
949539  
supply  
MECHANICAL DATA  
Case: SOD-57 sintered glass case  
Terminals: plated axial leads, solderable per MIL-STD-750,  
method 2026  
Polarity: color band denotes cathode end  
Mounting position: any  
Weight: approx. 369 mg  
ORDERING INFORMATION (Example)  
DEVICE NAME  
ORDERING CODE  
TAPED UNITS  
MINIMUM ORDER QUANTITY  
BY203-20S  
BY203-20STR  
5000 per 10" tape and reel  
5000 per ammopack  
25 000  
25 000  
BY203-20S  
BY203-20STAP  
PARTS TABLE  
PART  
TYPE DIFFERENTIATION  
PACKAGE  
SOD-57  
SOD-57  
SOD-57  
BY203-12S  
BY203-16S  
BY203-20S  
V
R = 1200 V; IF(AV) = 250 mA  
R = 1600 V; IF(AV) = 250 mA  
R = 2000 V; IF(AV) = 250 mA  
V
V
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tamb = 25 °C, unless otherwise specified)  
PARAMETER  
TEST CONDITION  
R = 100 μA  
tp = 10 ms, half sine wave  
(BR)R = 0.4 A  
PART  
SYMBOL  
VALUE  
1200  
UNIT  
BY203-12S  
BY203-16S  
BY203-20S  
VR = VRRM  
V
V
Reverse voltage = repetitive peak reverse  
voltage  
l
V
R = VRRM  
R = VRRM  
IFSM  
1600  
V
2000  
V
Peak forward surge current  
Average forward current  
20  
A
IF(AV)  
ER  
250  
mA  
mJ  
°C  
°C  
Non repetitive reverse avalanche energy  
Junction temperature range  
Storage temperature range  
I
10  
Tj  
- 55 to + 150  
- 55 to + 175  
Tstg  
MAXIMUM THERMAL RESISTANCE (Tamb = 25 °C, unless otherwise specified)  
PARAMETER  
TEST CONDITION  
Lead length l = 10 mm, TL = constant  
Maximum lead length  
SYMBOL  
VALUE  
45  
UNIT  
K/W  
K/W  
RthJA  
Junction ambient  
RthJA  
100  
Rev. 1.9, 12-Sep-12  
Document Number: 86002  
1
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT  
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
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