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BUW22

更新时间: 2024-02-05 06:51:51
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
5页 241K
描述
6A, 350V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-3

BUW22 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SFM包装说明:TO-220, 3 PIN
针数:3Reach Compliance Code:not_compliant
风险等级:5.91Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):6 A集电极-发射极最大电压:350 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):12
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:PNP功耗环境最大值:60 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON最大关闭时间(toff):2200 ns
最大开启时间(吨):800 nsVCEsat-Max:1.5 V
Base Number Matches:1

BUW22 数据手册

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与BUW22相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BUW22A SEME-LAB

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Bipolar PNP Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package
BUW22AP ETC

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TRANSISTOR | BJT | PNP | 400V V(BR)CEO | 6A I(C) | TO-220AB
BUW22P STMICROELECTRONICS

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6A, 350V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220, TO-220, 3 PIN
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暂无描述