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BUF01900AIPWG4

更新时间： 2024-01-29 11:16:19
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德州仪器 - TI 模拟IC信号电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
25页 694K
描述
Programmable Voltage Source with Memory

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BUF01900AIPWG4 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：SOIC
包装说明：TSSOP, TSSOP8,.25针数：8
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8542.39.00.01
风险等级：5.05Is Samacsys：N
其他特性：ALSO REQUIRES 2V TO 5.5V DIGITAL SUPPLY模拟集成电路 - 其他类型：ANALOG CIRCUIT
JESD-30 代码：R-PDSO-G8JESD-609代码：e4
长度：4.4 mm湿度敏感等级：2
功能数量：1端子数量：8
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSSOP
封装等效代码：TSSOP8,.25封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：5,18 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm子类别：Other Analog ICs
最大供电电压 (Vsup)：18 V最小供电电压 (Vsup)：7 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式：GULL WING端子节距：0.65 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：3 mmBase Number Matches：1

BUF01900AIPWG4 数据手册

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www.ti.com  
SBOS337A − OCTOBER 2006 − REVISED OCTOBER 2006  
TYPICAL CHARACTERISTICS (cont)  
At T = +25°C, V = 18V, V = 5V, R = 1.5kΩ connected to ground, and C = 200pF, unless otherwise noted.  
A
S
SD  
L
L
VCOM BUFFER SLEW RATE  
BUFFER LARGE SIGNAL STEP RESPONSE  
(2) VCOM  
(1) VBIAS  
(1) VBIAS  
(2) VCOM  
1
2
1
2
µ
Time (1 s/div)  
µ
Time (1 s/div)  
Figure 7  
Figure 8  
LOAD REGULATION vs CAPACITANCE  
LOAD REGULATION vs CAPACITANCE  
1
1
2
Ω
2.7nF  
C
2.7nF  
C
10  
µ
C = 1 F  
µ
C = 0.1 F  
2
1
µ
C = 1 F  
µ
C = 10 F  
µ
C = 0.1 F  
1
µ
C = 1 F  
µ
C = 10 F  
µ
C = 10 F  
µ
µ
Time (1 s/div)  
Time (1 s/div)  
Figure 9  
Figure 10  
µ
LOAD REGULATION WITH 100 F CAPACITOR  
µ
LOAD REGULATION WITH 10 F CAPACITOR  
1
1
2.7nF  
2.7nF  
µ
µ
100  
F
10  
F
1
1
µ
Time (1 s/div)  
µ
Time (1 s/div)  
Figure 11  
Figure 12  
5
12345678...25

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