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BU9832GUL-W

更新时间： 2024-01-05 05:20:50

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罗姆 - ROHM		/
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14页	257K
描述
Silicon Monolithic Integrated Circuit

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BU9832GUL-W 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	BGA
包装说明：	ROHS COMPLIANT, VCSP-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.79
最大时钟频率 (fCLK)：	5 MHz	JESD-30 代码：	R-PBGA-B8
JESD-609代码：	e1	长度：	2.09 mm
内存密度：	8192 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	8	字数：	1024 words
字数代码：	1000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	1KX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	VFBGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	0.55 mm	串行总线类型：	SPI
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.8 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	1.85 mm
最长写入周期时间 (tWC)：	5 ms	Base Number Matches：	1

BU9832GUL-W 数据手册

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◇STRUCTURE

◇PRODUCT

Silicon Monolithic Integrated Circuit

1,024×8 bit Electrically Erasable PROM

BＵ9832ＧＵＬ－Ｗ

◇PART NUMBER

◇PHYSICAL DIMENSION

◇BLOCK DIAGRAM

◇USE

Fig.1 (Plastic Mold)

Fig.2

General purpose

◇FEATURES

・ 1,024 words × 8 bits architecture serial EEPROM

・Wide operating voltage range (1.8V～5.5V)

・Serial Peripheral Interface (CPOL,CPHA)=(0.0),(1.1)

･Self-timed write cycle with automatic erase

・Low power consumption

Write

Read

( 5V ) : 1.5mA (Typ.)

( 5V ) : 0.5mA (Typ.)

Standby ( 5V ) : 0.1μA(Typ.)

･Auto-increment of registers address for Read mode

・32 byte Page Write mode

・DATA security

Defaults to power up with write-disabled state

Software instructions for write–enable/disable

Write status register protect feature (WPB pin)

Block writes protection by status register

Write inhibit at low VCC

・WL-CSP package ------ VCSP50L2

・High reliability fine pattern CMOS technology

・Initial data FFh in all address and 00h in status register

・Data retention : 40 years

・Endurance : 1,000,000 erase/write cycles

◇ABSOLUTE MAXIMUM RATING (Ta=25℃)

Parameter

Symbol

Rating

Unit

Supply Voltage

Power Dissipation

VCC

Ｐｄ

-0.3～6.5

℃

VCSP50L2

220

Storage Temperature

Operating Temperature

Terminal Voltage

Tstg

Topr

－

-65～125

-40～85

-0.3～VCC+0.3

*Degradation is done at 2.2mW/℃ for operation above 25℃

REV. B

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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BU9833GUL-W	ROHM	Silicon Monolithic Integrated Circuit	获取价格
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BU9833GUL-WE2	ROHM	WL-CSP EEPROM family I2C BUS	获取价格
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