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Datasheet > 驱动程序和接口 > 外围驱动器> BTS412B2E3043
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BTS412B2E3043

更新时间： 2024-02-09 05:19:38
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英飞凌 - INFINEON 外围驱动器驱动程序和接口开关接口集成电路电源开关局域网
页数 文件大小 规格书
14页 174K
描述
Smart Highside Power Switch

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BTS412B2E3043 技术参数

生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220AB
包装说明：,针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.34
Is Samacsys：N内置保护：OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL; UNDER VOLTAGE
输入特性：SCHMITT TRIGGER接口集成电路类型：BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER
JESD-30 代码：R-PSFM-T5功能数量：1
端子数量：5输出特性：OPEN-SOURCE
输出电流流向：SOURCE标称输出峰值电流：12 A
输出极性：TRUE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
认证状态：Not Qualified最大供电电压：42 V
最小供电电压：4.7 V标称供电电压：12 V
表面贴装：NO技术：MOS
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
断开时间：85 µs接通时间：125 µs
Base Number Matches：1

BTS412B2E3043 数据手册

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BTS 412B2  
Pin  
1
Symbol  
GND  
IN  
Function  
-
Logic ground  
2
I
Input, activates the power switch in case of logical high signal  
3
V
+
Positive power supply voltage,  
the tab is shorted to this pin  
bb  
4
5
ST  
S
Diagnostic feedback, low on failure  
Output to the load  
OUT  
O
(Load, L)  
Maximum Ratings at Tj = 25 °C unless otherwise specified  
Parameter  
Symbol  
Vbb  
Values  
Unit  
V
Supply voltage (overvoltage protection see page 3)  
65  
4)  
Load dump protection2) VLoadDump = UA + Vs, UA = 13.5 V VLoad dump  
100  
V
RI3)= 0.5 Ω, RL= 6.6 Ω, td= 400 ms, IN= low or high  
Load current (Short circuit current, see page 4)  
Operating temperature range  
Storage temperature range  
IL  
self-limited  
-40 ...+150  
-55 ...+150  
A
Tj  
Tstg  
Ptot  
°C  
Power dissipation (DC), TC ≤ 25 °C  
50  
W
Inductive load switch-off energy dissipation, single pulse  
V
bb
=12V, Tj,start =150°C, TC =150°C const.  
IL = 1.8 A, ZL = 2.3H, 0 Ω: EAS  
IN: VESD  
all other pins:  
4.5  
J
Electrostatic discharge capability (ESD)  
(Human Body Model)  
1
2
kV  
acc. MIL-STD883D, method 3015.7 and ESD assn. std. S5.1-1993  
Input voltage (DC)  
VIN  
IIN  
IST  
-10 ... +16  
±5.0  
V
mA  
Current through input pin (DC)  
Current through status pin (DC)  
see internal circuit diagrams page 6  
±5.0  
Thermal Characteristics  
Parameter and Conditions  
Symbol  
chip - case: RthJC  
Values  
typ  
Unit  
min  
--  
max  
2.5  
75  
K/W  
Thermal resistance  
--  
--  
35  
R
--  
--  
junction - ambient (free air):  
SMD version, device on PCB5):  
thJA  
--  
2)  
Supply voltages higher than Vbb(AZ) require an external current limit for the GND and status pins, e.g. with a  
150 Ω resistor in the GND connection and a 15 kΩ resistor in series with the status pin. A resistor for the  
protection of the input is integrated.  
3)  
4)  
5)  
R = internal resistance of the load dump test pulse generator  
I
VLoad dump is setup without the DUT connected to the generator per ISO 7637-1 and DIN 40839  
Device on 50mm*50mm*1.5mm epoxy PCB FR4 with 6cm2 (one layer, 70µm thick) copper area for V  
connection. PCB is vertical without blown air.  
bb  
Semiconductor Group  
2
1234567...14

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