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Datasheet > 触发装置 > TRIAC> BTA25-600CWRG
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BTA25-600CWRG

更新时间： 2024-01-15 14:06:10
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 栅极触发装置可控硅三端双向交流开关局域网
页数 文件大小 规格书
12页 134K
描述
25 A standard and Snubberless triacs

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BTA25-600CWRG 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, RD91, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：not_compliantHTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.72Is Samacsys：N
其他特性：UL RECOGNIZED配置：SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率：500 V/us最大直流栅极触发电流：35 mA
最大直流栅极触发电压：1.3 V最大维持电流：50 mA
JESD-30 代码：O-PUFM-D3最大漏电流：3 mA
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified最大均方根通态电流：25 A
断态重复峰值电压：600 V子类别：TRIACs
表面贴装：NO端子面层：Nickel (Ni)
端子形式：SOLDER LUG端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：40触发设备类型：SNUBBERLESS TRIAC
Base Number Matches：1

BTA25-600CWRG 数据手册

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Characteristics  
BTA24, BTB24, BTA25, BTA26, BTB26, T25  
1
Characteristics  
Table 2.  
Symbol  
Absolute maximum ratings  
Parameter  
Value  
Unit  
TOP3  
Tc = 105° C  
Tc = 100° C  
D2PAK /  
TO-220AB  
IT(RMS)  
RMS on-state current (full sine wave)  
25  
A
RD91 Ins/  
TOP3 Ins.  
Tc = 100° C  
TO-220AB Ins.  
F = 50 Hz  
Tc = 75° C  
t = 20 ms  
250  
260  
340  
Non repetitive surge peak on-state  
current (full cycle, Tj initial = 25° C)  
ITSM  
A
F = 60 Hz  
t = 16.7 ms  
²
²
²
I t  
I t Value for fusing  
tp = 10 ms  
A s  
Critical rate of rise of on-state current  
dI/dt  
F = 120 Hz  
Tj = 125° C  
Tj = 25° C  
50  
A/µs  
V
I
G = 2 x IGT , tr ≤ 100 ns  
Non repetitive surge peak off-state  
voltage  
VDRM/VRRM  
+ 100  
V
DSM/VRSM  
tp = 10 ms  
tp = 20 µs  
IGM  
Peak gate current  
Tj = 125° C  
Tj = 125° C  
4
1
A
PG(AV)  
Average gate power dissipation  
W
Tstg  
Tj  
Storage junction temperature range  
Operating junction temperature range  
- 40 to + 150  
- 40 to + 125  
° C  
Table 3.  
Symbol  
Electrical characteristics (T = 25° C, unless otherwise specified), Snubberless and  
logic level (3 quadrants) T25, BTA/BTB24...W, BTA25...W, BTA26...W  
j
T25  
BTA/BTB  
Test Conditions  
Quadrant  
Unit  
T2535  
CW  
BW  
(1)  
IGT  
I - II - III  
I - II - III  
MAX.  
MAX.  
35  
35  
50  
mA  
V
VD = 12 V RL = 33 Ω  
VGT  
VGD  
1.3  
VD = VDRM RL = 3.3 kΩ  
Tj = 125° C  
I - II - III  
MIN.  
0.2  
V
(2)  
IH  
IT = 500 mA  
MAX.  
50  
70  
50  
70  
75  
80  
mA  
I - III  
II  
IL  
IG = 1.2 IGT  
MAX.  
mA  
80  
80  
100  
1000  
22  
dV/dt (2)  
VD = 67 %VDRM gate open  
Tj = 125° C  
Tj = 125° C  
MIN.  
MIN.  
500  
13  
500  
13  
V/µs  
(dI/dt)c (2) Without snubber  
A/ms  
1. minimum IGT is guaranted at 5% of IGT max.  
2. for both polarities of A2 referenced to A1.  
2/12  
1234567...12

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