BSP75

更新时间： 2024-02-25 14:03:10

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英飞凌 - INFINEON		开关电源开关
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9页	57K
描述
Smart Lowside Power Switch (Logic Level Input Input protection ESD Thermal shutdown with restart)

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BSP75 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	SOT-223
包装说明：	SOP,	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.39.00.01	风险等级：	5.55
内置保护：	TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL	接口集成电路类型：	BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	JESD-609代码：	e3
长度：	6.5 mm	功能数量：	1
端子数量：	4	输出电流流向：	SINK
标称输出峰值电流：	0.7 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.8 mm
标称供电电压：	12 V	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	2.3 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	断开时间：	20 µs
接通时间：	20 µs	宽度：	3.5 mm
Base Number Matches：	1

BSP75 数据手册

HITFET BSP 75

Electrical Characteristics

Parameter and Conditions

Symbol

Values

Unit

at Tj = 25 °C, unless otherwise specified

min

typ

max

Static Characteristics

Drain source clamp voltage

I_D= 10 mA

V_DS(AZ)

I_DSS

T =-40...+150°C:

Off state drain current

µA

V_IN= 0 V, V_DS= 32 V

T =-40...+150°C:

Input threshold voltage I_D= 10 mA

V_IN(th)

2.5

100

200

300

Input current

normal operation, ID<ID(lim): I

µA

IN(1)

IIN(2)

IIN(3)

VIN = 5 V

current limitation mode, ID=ID(lim):

after thermal shutdown, ID=0 A:

1000 1500 2000

On-state resistance

I = 0.7 A, V = 5 V

550

850 1350

675 mΩ

T=25°C: R_DS(on)

T=150°C:

On-state resistance

I = 0.7 A, V = 10 V

475

750 1000

550 mΩ

T=25°C: R_DS(on)

T=150°C:

Nominal load current

V_BB= 12 V, V_DS= 0.5 V, T = 85°C

Tj < 150°C

I_D(Nom)

0.7

Current limit

1.5

1.9

D(lim)

V = 10 V, V = 12 V

Dynamic characteristics

Turn-on time

R = 22 Ω, V = 0 to 10 V, V = 12 V

V_INto 90% I_D: t_on

µs

Turn-off time

R = 22 Ω, V = 10 to 0 V, V = 12 V

V_INto 10% I _D: t_off

Slew rate on

R = 22 Ω, V = 0 to 10 V, V = 12 V

70 to 50% V : -dV /dt

10 V/µs

Slew rate off

50 to 70% V : dV /dt

off

R = 22 Ω, V = 10 to 0 V, V = 12 V

Semiconductor Group

Page 3

1998-02-04

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