5秒后页面跳转
BSM300C12P3E301 PDF预览

BSM300C12P3E301

更新时间: 2024-02-09 05:28:05
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM /
页数 文件大小 规格书
11页 1162K
描述
Power Field-Effect Transistor,

BSM300C12P3E301 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:,Reach Compliance Code:compliant
Factory Lead Time:19 weeks风险等级:5.66
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

BSM300C12P3E301 数据手册

 浏览型号BSM300C12P3E301的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BSM300C12P3E301的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BSM300C12P3E301的Datasheet PDF文件第4页浏览型号BSM300C12P3E301的Datasheet PDF文件第5页浏览型号BSM300C12P3E301的Datasheet PDF文件第6页浏览型号BSM300C12P3E301的Datasheet PDF文件第7页 
SiC Power Module  
Datasheet  
BSM300C12P3E301  
òApplication  
ñ Converter  
òCircuit diagram  
1
7
9
8
3,4  
6(N.C)  
òFeatures  
5
1) Low surge, low switching loss.  
2) High-speed switching possible.  
3) Reduced temperature dependence.  
10  
ꢀTC  
11  
2
Do not connect anything to NC pin.  
òConstruction  
This product is a chopper module consisting of SiC-UMOSFET and SiC-SBD from ROHM.  
òDimensions & Pin layout (Unit : mm)  
www.rohm.com  
© 2019 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
1/10  
22.Feb.2019 - Rev.001  

与BSM300C12P3E301相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
BSM300D12P2E001 ROHM BSM300D12P2E001由罗姆公司生产的SiC-DMOSFET和SiC-SBD构成,

获取价格

BSM300D12P3E005 ROHM BSM300D12P3E005是一款半桥型SiC功率模块,由罗姆制造的SiC-UMOSFE

获取价格

BSM300D12P4G101 (新产品) ROHM BSM300D12P4G101 is a half bridge module consisting of SiC-UMOSFET, suitable for motor driv

获取价格

BSM300GA100D ETC TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1KV V(BR)CES | 300A I(C)

获取价格

BSM300GA120D ETC TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 1.2KV V(BR)CES | 300A I(C)

获取价格

BSM300GA120DLC EUPEC IGBT-Modules

获取价格