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BP18N98S

更新时间: 2024-04-09 19:01:18
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华微电子 - JSMC /
页数 文件大小 规格书
5页 733K
描述
TO-3PL

BP18N98S 数据手册

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R
BP18N98S  
绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25)  
Parameter  
Symbol  
VCES  
VCEO  
VEBO  
IC  
Value  
980  
500  
9
Unit  
集电极发射极直流电压  
集电极发射极直流电压  
发射极基极直流电压  
最大集电极直流电流  
最大集电极脉冲电流  
最大基极直流电流  
Collector- Emitter VoltageVBE=0)  
Collector- Emitter VoltageIB=0)  
Emitter-Base Voltage  
V
V
V
Collector CurrentDC)  
Collector Currentpulse)  
Base CurrentDC)  
18  
A
ICP  
36  
A
IB  
9
A
最大基极脉冲电流  
Base Currentpulse)  
Total Dissipation  
IBP  
18  
A
最大集电极耗散功率  
最高结温  
PC  
150  
150  
-55~+150  
W
Junction Temperature  
Tj  
贮存温度  
Storage Temperature  
Tstg  
pulse电流宽度为小于5ms的非重复单脉冲。  
Pulse Test: Pulse Width = 5.0 ms, Duty Cycle 10%.  
电特性 ElECTRICAL CHARACTERISTIC  
测试条件  
最小值  
典型值  
最大值  
单位  
Parameter  
V(BR)CEO  
Tests conditions  
Value(min)  
Value(typ)  
Value(max)  
Unit  
V
IC=5mA,IB=0  
500  
980  
9
-
-
-
-
-
-
-
-
-
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
ICBO  
IC=1mA,IE=0  
V
IE=1mA,IC=0  
-
V
VCB=920V, IE=0  
VCE=480V,IB=0  
VEB=8V, IC=0  
VCE =5V, IC=1A  
IC=0.5A  
-
50  
100  
10  
30  
6.0  
-
μA  
μA  
μA  
ICEO  
-
IEBO  
-
Hfe  
15  
2.0  
4
ts  
μS  
fT  
VCE=10V, IC=0.5A  
-
MHz  
热特性 THERMAL CHARACTERISTIC  
最小值  
最大值  
Parameter  
结到管壳的热阻 TO-3PL/3PLT  
Symbol  
Value(min) Value(max)  
Unit  
Rth(j-c)  
-
0.83  
/W  
Thermal Resistance Junction Case TO-3PL/3PLT  
版本:202011B  
2/5  

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