BGY136

更新时间： 2024-01-03 20:56:16

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恩智浦 - NXP		射频和微波射频放大器微波放大器功率放大器高功率电源
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描述
VHF power amplifier modules

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BGY136 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.7	最高工作温度：	100 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	CERAMIC
封装等效代码：	MOT CASE 700-04	电源：	12.5 V
子类别：	RF/Microwave Amplifiers	技术：	HYBRID
Base Number Matches：	1

BGY136 数据手册

Philips Semiconductors

Product speciﬁcation

VHF power ampliﬁer modules

BGY135; BGY136

CHARACTERISTICS

Z_S= Z_L= 50 Ω; P_D= 150 mW; V_S1= V_S2= 12.5 V; T_h= 25 °C; unless otherwise speciﬁed.

SYMBOL

PARAMETER

frequency

CONDITIONS

MIN.

TYP.

MAX.

UNIT

BGY135

BGY136

132

−

156

MHz

146

−

174

MHz

I_Q2

P_L

leakage current

load power

efﬁciency

V_S1= 0; P_D= 0

−

adjust P_Dfor P_L= 18 W

−

H₂

H₃

second harmonic

third harmonic

input VSWR

stability

−25

dBc

−

VSWR_in

−

1.5

−

V_S1= V_S2= 10.8 to 15.6 V;

−

−60

dBc

P_L= 2 to 20 W; VSWR = 3 : 1

ruggedness

P_D≤ 300 mW;

_S1= V_S2= 15.6 V duration 5 s;

no degradation

P_L< 25 W; VSWR = 50 : 1

MRC261

MRC266

handbook, halfpage

(W)

f = 146 MHz

(W)

161 MHz

174 MHz

f =

132 MHz

144 MHz

156 MHz

100

200

300

100

200

300

(mW)

V_S1= V_S2= 12.5 V.

Fig.3 Load power as a function of drive power;

BGY135; typical values.

Fig.4 Load power as a function of drive power;

BGY136; typical values.

1996 May 08

1 2 345 6 7...10

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