BGD906MI

更新时间： 2024-01-30 03:08:42

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恩智浦 - NXP		射频和微波射频放大器微波放大器有线电视高功率电源
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12页	77K
描述
CATV amplifier modules

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BGD906MI 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.7	最高工作温度：	100 °C
最低工作温度：	-20 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装等效代码：	SOT-115J	电源：	24 V
子类别：	RF/Microwave Amplifiers	最大压摆率：	435 mA
Base Number Matches：	1

BGD906MI 数据手册

Philips Semiconductors

Product speciﬁcation

CATV ampliﬁer modules

BGD906; BGD906MI

MGS661

MGS662

−50

handbook, halfpage

(dBmV)

CTB

(dB)

mod

(1)

(dBmV)

(dB)

(2)

(3)

(4)

(2)

(1)

(2)

(3)

(4)

−60

(3)

(4)

(2)

(3)

(4)

−70

−80

(1)

−80

−90

200

400

600

800

200

400

600

800

f (MHz)

Z_S= Z_L= 75 Ω; V_B= 24 V; 110 chs; tilt = 9 dB (50 to 550 MHz);

tilt = 3.5 dB at −6 dB offset (550 to 750 MHz).

Z_S= Z_L= 75 Ω; V_B= 24 V; 110 chs; tilt = 9 dB (50 to 550 MHz);

tilt = 3.5 dB at −6 dB offset (550 to 750 MHz).

(1) V_o.

(3) Typ.

(1) V_o.

(3) Typ.

(2) Typ. +3 σ.

(4) Typ. −3 σ.

(2) Typ. +3 σ.

(4) Typ. −3 σ.

Fig.2 Composite triple beat as a function of

frequency under tilted conditions.

Fig.3 Cross modulation as a function of frequency

under tilted conditions.

MGS663

−50

handbook, halfpage

(2)

CSO

(dB)

(1)

(dBmV)

−60

(1)

(3)

(2)

−70

−80

−90

(3)

(4)

200

400

600

800

f (MHz)

Z_S= Z_L= 75 Ω; V_B= 24 V; 110 chs; tilt = 9 dB (50 to 550 MHz);

tilt = 3.5 dB at −6 dB offset (550 to 750 MHz).

(1) V_o.

(3) Typ.

(2) Typ. +3 σ.

(4) Typ. −3 σ.

Fig.4 Composite second order distortion as a

function of frequency under tilted conditions.

2000 Mar 28

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