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BF2000W

更新时间： 2024-01-25 22:47:09

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英飞凌 - INFINEON		晶体小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管光电二极管
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描述
Silicon N Channel MOSFET Tetrode (Short-channel transistor with high S/C quality factor For low-noise, gain-controlled input stages up to 1 GHz)

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BF2000W 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.34	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW NOISE	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	12 V
最大漏极电流 (ID)：	0.03 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	DUAL GATE, DEPLETION MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最小功率增益 (Gp)：	28 dB
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

BF2000W 数据手册

BF 2000W

Silicon N Channel MOSFET Tetrode

Target data sheet

• Short-channel transistor

with high S/C quality factor

• For low-noise, gain-controlled

input stages up to 1 GHz

VPS05605

Type

Marking Ordering Code

Pin Configuration

Package

BF 2000W NDs

Q62702-F1772

1 = D

2 = S

3 = G1 4 = G2 SOT-343

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Drain-source voltage

Continuos drain current

Gate 1/gate 2 peak source current

±I

G1/2SM

200

°C

Total power dissipation, T = 76 °C

tot

Storage temperature

Channel temperature

- 55 ...+150

150

stg

Thermal Resistance

Channel - soldering point

K/W

≤280

thchs

Semiconductor Group

Au -17-1998

1998-11-01

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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